摘要
在汽車銷售增速放緩（2025年中國新能源車銷量820萬輛，滲透率52%）與智能化加速的雙重背景下，質(zhì)量競爭已成為行業(yè)存續(xù)的關(guān)鍵。本研究報(bào)告基于ISO 26262、ASPICE 3.1標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合
2026-01-05 14:58:10
SiC碳化硅MOSFET短路過流耐受時(shí)間較短的根本性物理分析與兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）保護(hù)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報(bào)告：兩級(jí)關(guān)斷（Two-Level Turn-Off, 2LTO）技術(shù)逐漸確立為平衡SiC
2026-01-01 13:48:10
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中央空調(diào)變頻器技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告：SiC MOSFET功率模塊（BMF540R12MZA3）升級(jí)替代大電流IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體
2025-12-26 13:42:1687 
重卡電驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告：基于BMF540R12MZA3碳化硅SiC功率模塊的并聯(lián)升級(jí)與工程實(shí)踐 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-12-26 11:07:39102 
基于隔離驅(qū)動(dòng)IC兩級(jí)關(guān)斷技術(shù)的碳化硅MOSFET伺服驅(qū)動(dòng)器短路保護(hù)研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-12-23 08:31:10425 
探索XENSIV? PAS CO2 1.5傳感器：高精度二氧化碳檢測的新選擇 作為電子工程師，我們一直在尋找性能卓越、功能強(qiáng)大的傳感器來滿足各種設(shè)計(jì)需求。今天，我要為大家介紹一款來自英飛凌的二氧化
2025-12-19 14:30:24195 基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-14 07:32:011369 
減重33%以上，二氧化碳減排降低75%以上。該新型卷盤方案不會(huì)產(chǎn)生額外成本，標(biāo)志著電子行業(yè)構(gòu)建可持續(xù)供應(yīng)鏈的重要里程碑。 紙質(zhì)卷盤相較塑料卷盤而言，具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)：塑料卷盤重量為217克，紙質(zhì)卷盤僅140克，實(shí)現(xiàn)減重約35%。塑料卷盤在原材料開采、生產(chǎn)制
2025-12-11 10:11:18273 在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與電氣化浪潮的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心樞紐，其技術(shù)迭代速度正以前所未有的態(tài)勢(shì)加速。硅（Si）材料在接近其物理極限的背景下，以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體憑借高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高電子飽和漂移速度，成為了高壓、高頻、高功率密度應(yīng)用的首選。
2025-12-10 17:06:27557 
傾佳電子構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能變流器（PCS）技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)與SiC功率模塊的技術(shù)共生深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力
2025-12-08 08:42:211084 
在煤氣化制取氫氣、吸收爭強(qiáng)式甲烷重整、吸收增強(qiáng)式水汽變換過程中二氧化碳（CO?）與煅燒后的石灰石的碳酸化反應(yīng)是重要的步驟。因反應(yīng)的特性，該方法也在煙塵中的CO?捕獲中也被廣泛應(yīng)用。具體的反應(yīng)為碳酸鈣
2025-12-04 14:59:44
0 在電子材料的配方設(shè)計(jì)中，填料的選擇至關(guān)重要。傳統(tǒng)填料如二氧化硅、氧化鋁等，主要扮演著降低成本、調(diào)節(jié)流變、或提高導(dǎo)熱/絕緣的角色。然而，隨著應(yīng)用終端對(duì)電子產(chǎn)品的要求日趨多元化——既要耐高溫、又要阻燃
2025-12-03 11:22:091482 
傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-12-01 09:49:522168 
傾佳電子SVG技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與基本半導(dǎo)體SiC模塊應(yīng)用價(jià)值深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-11-30 09:58:221157 基本半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) MOSFET 外特性深度研究報(bào)告：飽和區(qū)、線性區(qū)及動(dòng)態(tài)行為的物理與工程分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-11-24 04:40:521088 
傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-11-23 11:04:372124 傾佳電子主流廠商碳化硅 (SiC) MOSFET 驅(qū)動(dòng) IC 產(chǎn)品及其技術(shù)特征深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)
2025-11-23 10:53:151373 傾佳電子全碳化硅 (SiC) MOSFET 設(shè)計(jì)戶儲(chǔ)逆變器如何助力安全性提升的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)
2025-11-23 10:17:502560 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）碳化硅MOSFET跨導(dǎo)特性及其與英飛凌主流同規(guī)格產(chǎn)品對(duì)比的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連
2025-11-22 07:05:311113 傾佳電子研究報(bào)告：B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用與替代分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源
2025-11-21 21:29:06864 
一般情況下，晶振不起振的原因歸納如下：一、晶片斷裂分析：晶片的化學(xué)成分為二氧化硅，與玻璃相同，屬于清脆易碎品，在承受較大沖撞、跌落、強(qiáng)震動(dòng)、溫度環(huán)境極速變化等外力作用的情況下有可能產(chǎn)生破裂、破碎等
2025-11-21 15:37:546389 
AMC1204和AMC1204B為1位數(shù)字輸出，隔離δσ（ΔΣ）調(diào)制器，時(shí)鐘頻率最高可達(dá)20 MHz。調(diào)制器輸出的數(shù)字隔離由二氧化硅（SiO）提供 ~2~ ）屏障，具有高度的磁干擾能力。該屏障已經(jīng)
2025-11-19 11:22:281176 
? ? ? ?mos管也稱場效應(yīng)管，這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是
2025-11-17 16:19:03692 AMC1204-Q1 是一款 1 位數(shù)字輸出、隔離式 Δ-Σ 調(diào)制器，時(shí)鐘頻率高達(dá) 20 MHz。調(diào)制器輸出的數(shù)字隔離由二氧化硅（SiO ~2~ ）屏障，具有很強(qiáng)的抗磁干擾能力。該屏障經(jīng)認(rèn)證可提供
2025-11-17 10:59:50444 
化學(xué)氣相淀積（CVD）是借助混合氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面沉積一層固體薄膜的核心工藝。在集成電路制造流程中，CVD 工藝除了可用于沉積金屬阻擋層、種子層等結(jié)構(gòu)外，其核心應(yīng)用場景集中在沉積二氧化硅、氮化硅等介質(zhì)薄膜。
2025-11-11 13:50:361410 
之間，可實(shí)現(xiàn)氧化硅與基底材料的高選擇性刻蝕。例如，BOE溶液通過氟化銨穩(wěn)定HF濃度，避免反應(yīng)速率波動(dòng)過大。 熱磷酸體系：85%以上的濃磷酸在150–180℃下對(duì)氮化硅的刻蝕速率可達(dá)50?/min，且對(duì)氧化硅和硅基底的選擇比優(yōu)異。 硝酸體系：主要用于硅材料的快速粗加工，
2025-11-11 10:28:48269 基礎(chǔ)設(shè)施。 光纖的“光速魔法”：全反射原理 光纖的核心結(jié)構(gòu)由纖芯(高純度二氧化硅或塑料)和包層(折射率更低的材料)組成。當(dāng)光以特定角度(大于臨界角)射入纖芯時(shí)，會(huì)在纖芯與包層的界面發(fā)生全反射，形成“光波導(dǎo)”效應(yīng)。這種結(jié)構(gòu)使
2025-10-30 10:51:33264 覆蓋部分）的影響。這種高選擇性源于不同材料在腐蝕液中的溶解速率差異，例如使用緩沖氧化物刻蝕液（BOE）時(shí)，二氧化硅的刻蝕速度遠(yuǎn)高于硅基底，從而確保精確的圖案轉(zhuǎn)移。
2025-10-27 11:20:38369 
#二氧化碳?xì)怏w傳感器現(xiàn)狀二氧化碳（CO?）作為一種常見氣體，在自然環(huán)境中維持著一定基準(zhǔn)濃度，但其含量異常升高或波動(dòng)時(shí)，會(huì)對(duì)人體健康、生產(chǎn)安全、環(huán)境質(zhì)量及工藝穩(wěn)定性等多方面產(chǎn)生顯著影響。如化工制藥
2025-10-24 17:53:20397 
超臨界二氧化碳（S-CO?）發(fā)電技術(shù)是近年來熱力發(fā)電領(lǐng)域一項(xiàng)重要的技術(shù)變革，其以處于超臨界狀態(tài)的二氧化碳作為工作介質(zhì)，采用閉式布雷頓循環(huán)模式，將熱能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能進(jìn)而發(fā)電。
2025-10-23 15:20:422048 
二氧化硅（SiO?）的試劑，生成揮發(fā)性的四氟化硅和水。若HF過量，則進(jìn)一步形成六氟合硅酸（H?SiF?）：SiO?+4HF→SiF?↑+2H?OSiO?+6HF→H?S
2025-10-21 14:39:28438 
復(fù)合光纜(通常指光電復(fù)合纜)與光纖在結(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用場景、成本及安裝維護(hù)方面存在顯著差異，具體如下： 一、結(jié)構(gòu)差異 光纖：由纖芯(高純度二氧化硅或塑料)、包層(折射率略低)和涂覆層(聚合物保護(hù))構(gòu)成
2025-10-13 10:57:02627 傾佳電子10kV高壓直掛配電網(wǎng)背景下光儲(chǔ)充系統(tǒng)的電力電子架構(gòu)演進(jìn)與碳化硅模塊賦能研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-09-30 04:52:12353 
2.0）研究報(bào)告》（以下簡稱“報(bào)告”）。報(bào)告闡述了AI時(shí)代數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)的演進(jìn)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)，并從AI大腦、AI聯(lián)接、AI網(wǎng)元三層網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)明確了數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)代際演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)方向，同時(shí)也展示了華為面向AI時(shí)代的智能算網(wǎng)方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力和影響力。
2025-09-25 09:37:39534 超臨界二氧化碳動(dòng)力循環(huán)是一種以超臨界狀態(tài)的CO?作為工質(zhì)的熱力循環(huán)系統(tǒng)。
2025-09-22 10:26:511472 
天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個(gè)9）以上，且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí)，就能形成單晶硅；若晶面取向不同，則會(huì)形成多晶硅（Polysilicon）。
2025-09-17 16:13:57993 
當(dāng)農(nóng)業(yè)大棚需要同時(shí)調(diào)控 CO?濃度、溫度、濕度和光照以促進(jìn)作物生長，當(dāng)辦公樓宇希望通過環(huán)境參數(shù)聯(lián)動(dòng)實(shí)現(xiàn)節(jié)能與舒適的平衡，單一傳感器的分散部署往往帶來布線雜亂、數(shù)據(jù)不同步等問題。 二氧化碳 / 溫濕度
2025-09-15 17:03:23593 的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 勢(shì)壘隔開。TI AMC1400具有10600V~PK~增強(qiáng)型隔離，用于雙極電流測量應(yīng)用。
2025-09-09 11:39:07680 
項(xiàng)目背景與技術(shù)優(yōu)勢(shì) 傳統(tǒng)石油開采僅能采收儲(chǔ)層中30%至40%的原油，而二氧化碳強(qiáng)化石油開采技術(shù)可將采收率提升至50%以上。該技術(shù)通過捕集工業(yè)尾氣中的二氧化碳，注入油田地下油層驅(qū)替原油，同時(shí)實(shí)現(xiàn)
2025-09-04 17:52:12521 
項(xiàng)目背景與技術(shù)優(yōu)勢(shì) 傳統(tǒng)石油開采僅能采收儲(chǔ)層中30%至40%的原油，而二氧化碳強(qiáng)化石油開采技術(shù)可將采收率提升至50%以上。該技術(shù)通過捕集工業(yè)尾氣中的二氧化碳，注入油田地下油層驅(qū)替原油，同時(shí)實(shí)現(xiàn)
2025-09-04 15:56:54318 
空氣中二氧化錫 的方法主要是火焰原子吸收光譜法、 氫化物－原子熒光法、分光光度法和碟酸鉀滴定法等幾種化學(xué)方法(1,2) 0但是這幾種 方法易受到干擾， 重現(xiàn)性、靈敏度都比較差且操作繁瑣， 在 實(shí)際檢測工作中難以滿足需求。
2025-09-04 10:20:11320 
傾佳電子SiC MOSFET串?dāng)_Crosstalk效應(yīng)深度解析與綜合抑制策略研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-09-01 10:51:212666 
在第十一屆中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)“數(shù)字政府”交流活動(dòng)上，國家數(shù)據(jù)發(fā)展研究院攜手華為技術(shù)有限公司（以下簡稱“華為”）聯(lián)合發(fā)布《AI CITY城市智能體前瞻研究報(bào)告》，旨在探索人工智能新時(shí)代下的AI CITY智能體應(yīng)用和架構(gòu)，為城市全域數(shù)字化轉(zhuǎn)型建設(shè)提供前瞻指引，為城市智慧化演進(jìn)注入創(chuàng)新活力。
2025-09-01 10:37:011119 傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)（DESAT）深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-01 09:28:31849 
STCC4 現(xiàn) 已通過 盛思銳（ Sensirion ） 全球 授權(quán) 渠道合作伙伴正式開售 。這款微型傳感器 體積小巧、性價(jià)比高、功耗低 ， 滿足各類 大規(guī)模應(yīng)用場景中 的二氧化碳監(jiān)測需求
2025-08-28 18:17:3035555 
氧化層）選擇對(duì)應(yīng)的清洗方式。例如，RCA法中的SC-1溶液擅長去除顆粒和有機(jī)殘留，而稀HF則用于精確蝕刻二氧化硅層。對(duì)于頑固碳沉積物，可能需要采用高溫Piranha
2025-08-25 16:43:38449 
–230GPa 之間，優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，尤其在空氣中能形成致密的氧化鉻鈍化層而抗腐蝕，以及對(duì)多種襯底，如硅、二氧化硅、玻璃襯底，展現(xiàn)出極佳的黏附力。這些特性使其成為MEMS中重要的功能材料和工藝輔助材料。
2025-08-25 11:32:481148 
NSI1050是隔離式的CAN收發(fā)器，與ISO11898-2標(biāo)準(zhǔn)完全兼容。NSI1050集成了兩通道數(shù)字隔離器和一個(gè)高性能CAN收發(fā)器。數(shù)字隔離器是基于電容隔離技術(shù)的二氧化硅隔離。高度集成的解決方案
2025-07-29 15:51:05
二氧化碳溫濕度光照度傳感器是一種多功能環(huán)境監(jiān)測設(shè)備，集成了測量二氧化碳濃度(CO?)、空氣溫度及光照強(qiáng)度(照度)四種關(guān)鍵環(huán)境參數(shù)的功能于一體。通過內(nèi)置的多類型傳感器元件，實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境條件的實(shí)時(shí)、同步
2025-07-15 17:21:28601 為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層？回答：LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層，芯片會(huì)出現(xiàn)電流分布不均，電流擁擠效應(yīng)，電極燒毀等現(xiàn)象。由于藍(lán)寶石的絕緣性，傳統(tǒng)LED的N和P電極都做在芯片出光面
2025-07-14 17:37:33941 
在集成電路生產(chǎn)過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù)，尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
2025-07-09 09:43:08762 氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231750 
例子。在這種情況下，我們選擇第一種材料作為熔融二氧化硅，第二種材料作為空氣，入射角為25°。我們將顯示的最大顯示級(jí)數(shù)為1。
通用光學(xué)設(shè)置中的示例
我們采用通用光學(xué)設(shè)置來模擬類似的系統(tǒng)。衍射光柵由光柵組件
2025-06-16 08:48:19
在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個(gè)原子層）。此時(shí)，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可占總功耗的40%。
2025-06-12 14:11:582388 
在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的保護(hù)和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎(chǔ)支撐。本文將對(duì)氧化工藝進(jìn)行簡單的闡述。
2025-06-12 10:23:222138 
具對(duì)鈉D線的研究
在VirtualLab Fusion中，建立了一個(gè)帶有二氧化硅間隔標(biāo)準(zhǔn)具的光學(xué)計(jì)量系統(tǒng)來測量鈉D線。此外，還研究了實(shí)際涂層反射率的影響。
2025-06-12 08:49:47
了具有二氧化硅間隔標(biāo)準(zhǔn)具的光學(xué)測量系統(tǒng)，并測量鈉的D線。 利用非序列場追跡技術(shù)，充分考慮了標(biāo)準(zhǔn)具中多次反射引起的相干現(xiàn)象，并研究了涂層反射率對(duì)條紋對(duì)比度的影響。
建模任務(wù)
所有譜線的可視化
銳度與涂層反射率
銳度與涂層反射率
2025-06-05 08:47:54
研究光柵樣品的情況下，這些系數(shù)也可以是特定衍射階數(shù)的瑞利系數(shù)。
橢圓偏振對(duì)小厚度變化的敏感性
為了評(píng)估橢偏儀對(duì)涂層厚度即使是非常小的變化的敏感性，對(duì)10納米厚的二氧化硅層和10.1納米厚的二氧化硅膜
2025-06-05 08:46:36
通過改變將連接器焊接到計(jì)算機(jī)上的方式，我們將產(chǎn)品退貨率降低了一半，制造時(shí)間縮短了15%，并且每年減少了43噸的二氧化碳排放。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造過程中，微小的改變往往能對(duì)環(huán)境影響產(chǎn)生重大差異。在樹莓派
2025-05-30 16:32:50822 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光電耦合器行業(yè)研究報(bào)告.docx》資料免費(fèi)下載
2025-05-30 15:33:130 半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:301781 
表面與清洗設(shè)備（如夾具、刷子、兆聲波噴嘴）或化學(xué)液膜接觸時(shí)，因材料電子親和力差異（如半導(dǎo)體硅與金屬夾具的功函數(shù)不同），發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。例如，晶圓表面的二氧化硅（SiO?）與聚丙烯（PP）材質(zhì)的夾具摩擦后，可能因電子轉(zhuǎn)移產(chǎn)生凈電荷。 液體介質(zhì)影響：清洗
2025-05-28 13:38:40743 檢測儀是一種用于檢測煙氣中各種成分和參數(shù)的設(shè)備。它就像是環(huán)境和工業(yè)生產(chǎn)的“健康衛(wèi)士”，能夠?qū)崟r(shí)、準(zhǔn)確地測量煙氣中的多種物質(zhì)，如一氧化碳、二氧化碳、二氧化硫、氮氧化物等有害氣體的濃度，以及煙氣的溫度、壓力
2025-05-26 13:59:06
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 Low-κ 介電材料作為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心材料，其技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用正深刻影響著集成電路的性能突破與成本優(yōu)化。這類介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（κ≈4.0）的絕緣材料，通過
2025-05-25 01:56:001731 氧化鋯氧傳感器并不測量氧濃度的%，而是測量氣體或氣體混合物中氧氣的分壓。氧化鋯氧傳感器傳感器的核心采用了一種經(jīng)過充分驗(yàn)證的小型二氧化鋯基元素，由于其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，不需要參考?xì)怏w。這消除了傳感器可以在
2025-05-19 13:24:05979 
01呼氣末二氧化碳呼氣末二氧化碳（ETCO2）是指呼氣終末期呼出的混合肺泡氣體中含有的二氧化碳?jí)海≒ETCO2）或二氧化碳濃度(CETCO2），已經(jīng)被認(rèn)為是除體溫、脈搏、呼吸、血壓、動(dòng)脈血氧飽和度
2025-05-19 13:20:27920 室內(nèi)CO2濃度高通常是人類存在的結(jié)果。我們的身體吸入氧氣并排放二氧化碳，如果環(huán)境通風(fēng)不暢，二氧化碳會(huì)在室內(nèi)積聚。而且，現(xiàn)代建筑密集的隔熱層間接導(dǎo)致二氧化碳的增加。例如，減少消耗和加熱或冷卻成本的密集
2025-05-19 13:19:35742 AMC1200 和 AMC1200B 是高精度隔離放大器，通過磁場抗擾度較高的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 隔離層隔離輸出和輸入電路。該隔離層經(jīng) UL1577 與 VDE V 0884-10 標(biāo)準(zhǔn)
2025-05-09 14:22:531688 
AMC1100 是一款高精度隔離放大器，通過具有高磁場抗擾度的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 隔柵隔離輸出與輸入電路。根據(jù) DIN VDE V 0884-11: 2017-01 和 UL1577
2025-05-07 10:43:39834 
AMC1200-Q1 是一款高精度隔離放大器，此放大器的輸出與輸入電路由抗電磁干擾性能極強(qiáng)的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 隔離層隔開。 該隔離層經(jīng) UL1577 與 IEC60747-5-2 標(biāo)準(zhǔn)
2025-05-06 10:24:13942 
半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 ，帶來更加多元的智能互動(dòng)體驗(yàn)，智能汽車將成為面向未來的智能空間。4月22日，德賽西威發(fā)布《德賽西威AI出行趨勢(shì)研究報(bào)告》（以下簡稱“報(bào)告”）。
2025-04-23 17:43:401070 二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
2025-04-10 14:36:414406 
例子。在這種情況下，我們選擇第一種材料作為熔融二氧化硅，第二種材料作為空氣，入射角為25°。我們將顯示的最大顯示級(jí)數(shù)為1。
通用光學(xué)設(shè)置中的示例
我們采用通用光學(xué)設(shè)置來模擬類似的系統(tǒng)。衍射光柵由光柵組件
2025-04-08 08:46:30
。從沙子到芯片，需歷經(jīng)數(shù)百道工序。下面，讓我們深入了解芯片的制造流程。 一、從沙子到硅片（原材料階段） 沙子由氧和硅組成，主要成分是二氧化硅。芯片制造的首要步驟就是將沙子中的二氧化硅還原成硅錠，之后經(jīng)過提純，得到
2025-04-07 16:41:591257 
摘 要： 耐高溫光纖可以在高溫等惡劣環(huán)境中保持良好的光學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械可靠性。光纖本身的材質(zhì)為二氧化硅，能夠耐受高溫，因而耐高溫光纖的耐溫性能取決于其涂層材料。本文介紹了4種耐高溫涂料及其對(duì)應(yīng)的耐高溫
2025-04-02 13:37:151345 
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標(biāo)是通過降低金屬互連線間的寄生電容，解決RC延遲（電阻-電容延遲）和信號(hào)串?dāng)_問題，從而提升芯片性能和集成度。
2025-03-27 10:12:233937 
在數(shù)百米深的地層之下，煤炭開采的轟鳴與礦工們的汗水交織成獨(dú)特的工業(yè)交響曲。而在這幽暗的巷道中，一種看不見的氣體——二氧化碳，正悄然威脅著礦工們的生命安全。據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國煤礦每年因有害氣體導(dǎo)致的安全事故
2025-03-24 18:22:19728 3月12日，備受矚目的《2025中國AIAgent行業(yè)研究報(bào)告》由甲子光年重磅發(fā)布！在這份極具前瞻性的行業(yè)報(bào)告中，中科視語憑借卓越的實(shí)力脫穎而出，成功入選為國內(nèi)重點(diǎn)AIAgent廠商的典型案例。該報(bào)告
2025-03-13 16:24:491000 
不同材料的刻蝕速率比，達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價(jià)值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件，使目標(biāo)材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實(shí)現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809 STM32F207VET6的flash是512KB的，為什么對(duì)0x080A0000后512KB的內(nèi)存進(jìn)行操作程序沒有問題？
2025-03-12 07:19:44
輔助設(shè)備： 準(zhǔn)備好萬用表或電位測試儀等測量儀器，并確保儀器能正常工作，電量充足或連接好電源，量程選擇合適。 現(xiàn)場測量操作 插入探頭 ：將探頭插入被測體附近的土壤中，若土壤干燥，應(yīng)在探頭周圍的土壤中澆入純凈水濕潤，以保證良
2025-03-11 19:55:27453 圓不僅是芯片制造的基礎(chǔ)材料，更是連接設(shè)計(jì)與現(xiàn)實(shí)的橋梁。在這張畫布上，光刻、刻蝕、沉積等工藝如同精妙的畫筆，將虛擬的電路圖案轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)的功能芯片。 晶圓：從砂礫到硅片 晶圓的起點(diǎn)是普通的砂礫，其主要成分是二氧化硅（SiO?
2025-03-10 17:04:251544 嵌入式軟件測試技術(shù)深度研究報(bào)告 ——基于winAMS的全生命周期質(zhì)量保障體系構(gòu)建 一、行業(yè)技術(shù)瓶頸與解決方案框架 2025年嵌入式軟件測試領(lǐng)域面臨兩大核心矛盾： ? 安全合規(guī)與開發(fā)效率的沖突
2025-03-03 13:54:14876 了具有二氧化硅間隔標(biāo)準(zhǔn)具的光學(xué)測量系統(tǒng)，并測量鈉的D線。 利用非序列場追跡技術(shù)，充分考慮了標(biāo)準(zhǔn)具中多次反射引起的相干現(xiàn)象，并研究了涂層反射率對(duì)條紋對(duì)比度的影響。
建模任務(wù)
所有譜線的可視化
銳度與涂層反射率
銳度與涂層反射率
2025-03-03 09:29:25
n-TOPCon太陽能電池因其獨(dú)特的超薄二氧化硅（SiOx）層和n+多晶硅（poly-Si）層而受到關(guān)注，這種設(shè)計(jì)有助于實(shí)現(xiàn)低復(fù)合電流密度（J0）和降低接觸電阻（ρc）。激光增強(qiáng)接觸優(yōu)化（LECO
2025-02-26 09:02:581965 
光纜主要是由光導(dǎo)纖維(細(xì)如頭發(fā)的玻璃絲)、塑料保護(hù)套管以及塑料外皮構(gòu)成。以下是關(guān)于光纜材質(zhì)的詳細(xì)解析： 一、光導(dǎo)纖維 材質(zhì)：光導(dǎo)纖維主要由高純度的二氧化硅(即石英)拉制而成，這種材料具有優(yōu)異的透光性
2025-02-25 10:28:132941 二氧化硅(石英玻璃)制成，具有高速、寬帶、低損耗等優(yōu)良性能。 松套管：光纖通常被包裹在松套管中，松套管對(duì)光纖起到保護(hù)和支撐作用，防止光纖在光纜中受到損傷。 加強(qiáng)件：光纜內(nèi)部通常包含加強(qiáng)件，如鋼絲或纖維增強(qiáng)材料，以提高光
2025-02-24 10:16:39693 佐思汽研發(fā)布了《2025年汽車微電機(jī)及運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)行業(yè)研究報(bào)告》。
2025-02-20 14:14:442121 
近日，備受行業(yè)關(guān)注的《零售媒體化專項(xiàng)研究報(bào)告(2024年)》由中國連鎖經(jīng)營協(xié)會(huì)(CCFA)權(quán)威發(fā)布。在該報(bào)告中，熵基科技旗下的智慧零售全新商業(yè)品牌——熵基云聯(lián)，憑借其卓越的創(chuàng)新性智慧零售解決方案
2025-02-17 11:17:27849 氧化釩連續(xù)激光相變模擬 近期，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部王胭脂研究員團(tuán)隊(duì)在二氧化釩連續(xù)激光相變研究方面取得進(jìn)展，相關(guān)成果以“Damage mechanism
2025-02-13 08:56:04579 
》GB50140-2005，配電室屬于E類火災(zāi)場所，推薦使用二氧化碳滅火器和磷酸銨鹽干粉滅火器。 二氧化碳滅火器： 二氧化碳滅火器因其良好的電絕緣性能，可以有效地?fù)錅?00伏以下電壓的帶電電器設(shè)備引起的火災(zāi)。二氧化碳在滅火時(shí)通過降低氧氣
2025-02-11 11:01:575839 研究光柵樣品的情況下，這些系數(shù)也可以是特定衍射階數(shù)的瑞利系數(shù)。
橢圓偏振對(duì)小厚度變化的敏感性
為了評(píng)估橢偏儀對(duì)涂層厚度即使是非常小的變化的敏感性，對(duì)10納米厚的二氧化硅層和10.1納米厚的二氧化硅膜
2025-02-05 09:35:38
引言：工業(yè)環(huán)境監(jiān)測需求與挑戰(zhàn) 在工業(yè)生產(chǎn)的廣袤版圖中，環(huán)境參數(shù)的微妙變化如同隱藏在幕后的操盤手，深刻影響著生產(chǎn)的安全、效率與質(zhì)量。尤其是二氧化碳濃度，作為一個(gè)關(guān)鍵的環(huán)境指標(biāo)，其每一絲變化都可
2025-01-13 14:23:02952 近日，浪潮云海攜手中國軟件評(píng)測中心、騰訊云等十余家核心機(jī)構(gòu)與廠商，共同發(fā)布了《一云多芯算力調(diào)度研究報(bào)告》。該報(bào)告深入探討了當(dāng)前一云多芯技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)與挑戰(zhàn)。 報(bào)告指出，一云多芯技術(shù)正處于從混合部署
2025-01-10 14:18:04752 在本教程項(xiàng)目中，我們計(jì)算了帶有摻雜二氧化硅芯的圓柱形光纖的基本傳播模式。
磁芯具有相對(duì)介電常數(shù)?core=2.113和直徑dcore=8.2μm。包層具有相對(duì)介電常數(shù)?cladding
2025-01-09 08:57:35
轉(zhuǎn)換器。[2]
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái)，因?yàn)樗峁└哒凵渎时?，包?b class="flag-6" style="color: red">二氧化硅層作為光學(xué)緩沖器
2025-01-08 08:51:53
隨著科技的進(jìn)步，人們對(duì)于生活以及身體健康關(guān)注越來越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分，與人類生活息息相關(guān)。關(guān)注CO2（二氧化碳）氣體，監(jiān)測CO2（二氧化碳）氣體至關(guān)重要。CO2（二氧化碳）傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域和選擇方案值得我們關(guān)注。
2025-01-07 17:01:091187 
”。-摘錄自澎湃新聞這里不得不提在這成功的背后使用到的一項(xiàng)黑科技——二氧化碳雪清洗首先我們先來了解下全磁懸浮人工心臟，它的復(fù)雜性和精密性使其成為醫(yī)療界的頂尖產(chǎn)品，被譽(yù)為“
2025-01-06 16:23:14710 
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