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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn),以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開(kāi)關(guān)損耗,柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 標(biāo)簽:光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET 3189 0
淺談高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——ACPL-337J
ACPL-337J是一款先進(jìn)的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,旨在隔離,驅(qū)動(dòng),保護(hù)和反饋IGBT的工作狀態(tài)。 它具有軌到軌輸出,可以提供4A的最大電流,能...
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離式反激轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器需要隔離式電源,以實(shí)現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是,基于標(biāo)準(zhǔn)電源控制IC的隔離式電源設(shè)計(jì)并非易事。要使用離散的組...
基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高功率密度
作者:Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開(kāi)關(guān)損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅(Si...
2021-05-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1504 0
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4608 0
什么是柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器分類與優(yōu)點(diǎn)分析
高功率晶體管與模擬信號(hào)鏈或數(shù)字邏輯電路中的其他晶體管的特性幾乎完全不同。功率晶體管的擊穿電壓的分布范圍極大,從大約40伏到1,200伏甚至更高。
2021-01-21 標(biāo)簽:微控制器逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.7萬(wàn) 0
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對(duì)于可再生能源設(shè)備,如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來(lái)過(guò)長(zhǎng)開(kāi)/關(guān)延遲方案
本文重點(diǎn)而又全面地介紹了三種將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來(lái)過(guò)長(zhǎng)開(kāi)/關(guān)延遲時(shí)間的方法:使用外部柵漏電容器、對(duì)器件增加RC緩沖電路,以及使...
2021-01-05 標(biāo)簽:電容器柵極驅(qū)動(dòng)器 3618 0
基于IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)器IC的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長(zhǎng)。隨著這種增長(zhǎng)是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)計(jì)...
2020-12-28 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 7976 0
羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)方案
工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域,沒(méi)有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無(wú)法搭建先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線,由于應(yīng)用條件比較苛刻和對(duì)性能要求比較嚴(yán)格,設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng)器 2608 0
具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3309 0
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)
也許與此主題相關(guān)的最根本的問(wèn)題是問(wèn)為什么使用并行模塊?將2個(gè)200A模塊并聯(lián)成一個(gè)400A模塊有什么好處,為什么不簡(jiǎn)單地使用400A零件呢?在商業(yè)方面,...
GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過(guò)去,這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而,隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加,挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上
2020-08-04 標(biāo)簽:德州儀器GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1380 0
LTC7803或先進(jìn)電源便捷設(shè)計(jì)之路
低IQ同步降壓型控制器LTC7803可顯著簡(jiǎn)化高效率功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。它能夠在各種輸入/輸出電壓下工作,并具有出色的瞬態(tài)響應(yīng)性能。
2020-07-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器降壓型轉(zhuǎn)換器EMI濾波器 1641 0
功能隔離,顧名思義,僅提供功能。它以一個(gè)電勢(shì)將一個(gè)信號(hào)或電源從一個(gè)電勢(shì)的系統(tǒng)傳遞到另一個(gè)電壓不同的系統(tǒng)。它并不能防止觸電。
2020-05-25 標(biāo)簽:變壓器德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器 4601 0
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因?yàn)槿鏜OSFET有個(gè)柵極電容,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)...
2020-01-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)二極管柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1萬(wàn) 0
使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200V SiC電源模塊
電動(dòng)汽車、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)...
2020-02-04 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器電源模塊半導(dǎo)體器件 4373 0
電容隔離如何解決交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)使用由電壓和電流反饋測(cè)量值組成的閉環(huán)控制系統(tǒng)來(lái)控制交流電機(jī)的速度和扭矩。由于電壓和電流反饋需在高壓側(cè)測(cè)量,因此信號(hào)必須與低壓控制器側(cè)隔離。
2019-10-16 標(biāo)簽:交流電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器電容隔離 1749 0
如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器
在開(kāi)關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見(jiàn)圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減...
2019-10-10 標(biāo)簽:IGBT總線柵極驅(qū)動(dòng)器 1858 0
60 V第四代n溝道功率MOSFET:業(yè)內(nèi)適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件
Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件,10 V...
2019-10-05 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)器米勒電容 6078 0
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