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標簽 > 氧化鎵
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【博主簡介】 本人系一名半導體行業(yè)質量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的:產(chǎn)品質量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用等相關知識。常言:...
電流密度1 kA/cm2,二極管耐壓比SiC大3倍!氧化鎵器件商業(yè)化!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報 道 (文/梁浩斌)最近,康奈爾大學孵化的初創(chuàng)企業(yè)Gallox semiconductors成功入選 Activate Fellowshi...
氧化鎵破局!江蘇拓能半導體科技有限公司工業(yè)電機驅動系統(tǒng)著作權落地,解鎖高效節(jié)能新范式
2025年8月25日,江蘇拓能半導體科技有限公司(以下簡稱“江蘇拓能”)自主研發(fā)的 “氧化鎵半導體在工業(yè)電機驅動應用系統(tǒng)(V1.0)” 正式獲得軟件著作...
在超寬禁帶半導體領域,氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區(qū)技術總監(jiān)張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授,圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀...
我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導體產(chǎn)業(yè)迎新突破!
2025年3月5日,杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬...
氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌,優(yōu)可測白光干涉儀檢測時長縮短至秒級!
傳統(tǒng)AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右,優(yōu)可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒,百倍提升檢測效率!
中國第四代半導體技術獲重大突破:金剛石與氧化鎵實現(xiàn)強強聯(lián)合
2025年2月13日凌晨,中國科技界迎來一則重磅消息:吉林大學劉冰冰教授團隊聯(lián)合中山大學朱升財教授,在國際頂級期刊《Nature Materials》上...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月,鎵仁半導體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法...
2025-02-17 標簽:氧化鎵 1.1k 0
鎵仁半導體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電摻雜
VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化,采用...
ACS AMI:通過襯底集成和器件封裝協(xié)同設計實現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs
原創(chuàng):Xoitec 異質集成XOI技術 來源:上海微系統(tǒng)所,集成電路材料實驗室,異質集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現(xiàn)超高壓、大功率、...
蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域戰(zhàn)略合作協(xié)議
來源:蘇州納米城 近日,蘇州納米城企業(yè)—蘇州邁姆思半導體科技有限公司(以下簡稱“邁姆思 ”)與杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁”)于杭州簽訂戰(zhàn)略合...
北京銘鎵半導體引領氧化鎵材料創(chuàng)新,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破
北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料的開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進展,其技術已領先國際同類產(chǎn)品標準。
三菱電機總裁Kei Urushima表示,聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底,采用我們的技術,然后將其返還給Coherent"...
我國實現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化新突破
氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造,成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一,被稱為第四代半導體材料。
據(jù)睿悅投資官微消息,2月2日,深圳市睿悅投資控股集團有限公司(以下簡稱“睿悅控股集團”)與福建晶旭半導體科技有限公司(以下簡稱“晶旭半導體”)的戰(zhàn)略投資...
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