北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

據(jù)北京順義公眾號(hào)報(bào)道，銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示，該公司在半絕緣型（010）鐵摻襯底及其與導(dǎo)電型薄膜外延的整合技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重要突破。目前，國際市場(chǎng)上該類產(chǎn)品普遍能達(dá)到25毫米×25毫米的尺寸，而銘鎵半導(dǎo)體已成功將尺寸提升至40毫米×25毫米，這一成就不僅展現(xiàn)了其技術(shù)的先進(jìn)性，也為其在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中贏得了顯著優(yōu)勢(shì)。

值得注意的是，銘鎵半導(dǎo)體不僅實(shí)現(xiàn)了尺寸的突破，還能穩(wěn)定生產(chǎn)多爐并累積一定庫存，這進(jìn)一步證明了其在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料生產(chǎn)方面的成熟技術(shù)和高效能力。這一成就的取得，無疑將加速超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料在更多領(lǐng)域的應(yīng)用，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。