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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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芯片?恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動...
在65W氮化鎵快充設(shè)計中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及...
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
如何最大限度地擴(kuò)大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達(dá)系統(tǒng)的探測距離
雷達(dá)已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對于設(shè)計人員來說，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠(yuǎn)程雷達(dá)，因為在這種情況下，返回信...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典...
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選...
氮化鎵（GaN）無刷直流電機(jī)驅(qū)動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)勢展開研究，通過設(shè)計實例和實驗數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標(biāo)簽：氮化鎵GaN無刷直流電機(jī)驅(qū)動 311 0
用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計算和人工智能的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對電源的需求不斷增加，對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中， Common Redundant Po...
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi)，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動的高效逆變器設(shè)計：硅與GaN器件的比較分析
通過重新設(shè)計基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術(shù)手冊
ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內(nèi)，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...
ADPA1113 2GHz至6GHz，46dBm（40W），GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...
氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最...
隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設(shè)計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...
氮化鎵單片雙向開關(guān)：電力電子技術(shù)的下一代突破
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者?；跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢，可有效...
2025-04-09 標(biāo)簽：電力電子氮化鎵雙向開關(guān) 229 0
當(dāng)設(shè)備溫度超過設(shè)定閾值時，外置OTP功能會自動觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過熱，這對于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測到溫度升高時...
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