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用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊

eeDesigner ? 2025-04-24 10:11 ? 次閱讀
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隨著云計(jì)算人工智能的快速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心對(duì)電源的需求不斷增加,對(duì)其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中,Common Redundant Power Supply (CRPS) 是常用標(biāo)準(zhǔn),典型拓?fù)錇锽oost PFC后接LLC諧振轉(zhuǎn)換器,前者將交流電轉(zhuǎn)換為380V直流電,后者將其轉(zhuǎn)換為12V輸出。80Plus制定了電源效率認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),其中鈦金標(biāo)準(zhǔn)要求50%負(fù)載時(shí)效率超96%,20%負(fù)載時(shí)超94%
論文下載:*附件:High-Frequency-High-Efficiency-LLC-Module-with-Planar-Matrix-Transformer-for-CRPS-Application-Using-GaN-Power-IC-paper.pdf

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  1. Navitas GaN IC的應(yīng)用氮化鎵(GaN)晶體管相比傳統(tǒng)硅晶體管,具有更大帶隙、更高電子遷移率和速度。Navitas的集成GaN HEMT IC,集成了GaN HEMT和定制驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn) “數(shù)字輸入,功率輸出”,僅需數(shù)字高低信號(hào)就能可靠驅(qū)動(dòng)內(nèi)部GaN HEMT,且柵極電壓純凈,減少了寄生效應(yīng),能實(shí)現(xiàn)更快開(kāi)關(guān)速度、更高效率和更大功率密度。
  2. 矩陣變壓器設(shè)計(jì)
    • 輸出組數(shù)確定 :由于CRPS應(yīng)用中LLC變壓器輸出電流高,需多組輸出降低傳導(dǎo)損耗。通過(guò)計(jì)算同步整流器(SR)的驅(qū)動(dòng)損耗、傳導(dǎo)損耗和體二極管傳導(dǎo)損耗,綜合考慮平衡損耗、系統(tǒng)成本和空間限制,確定六組輸出為最優(yōu),優(yōu)化后減少為三組。
    • 矩陣變壓器優(yōu)勢(shì) :傳統(tǒng)并聯(lián)繞組和SR會(huì)導(dǎo)致終端損耗,采用多個(gè)變壓器并聯(lián)可簡(jiǎn)化終端,減少交流相關(guān)傳導(dǎo)損耗和漏磁通,但會(huì)增加磁芯損耗和尺寸。矩陣變壓器通過(guò)磁芯間磁通抵消,減少了磁芯體積和損耗。對(duì)于CRPS中的LLC應(yīng)用,選擇初級(jí)串聯(lián)、次級(jí)并聯(lián)的方式,計(jì)算出合適匝數(shù)比為15(每個(gè)變壓器匝數(shù)比為5)。
    • PCB繞組設(shè)計(jì) :采用10層PCB并實(shí)施交錯(cuò)結(jié)構(gòu),以減少因趨膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)導(dǎo)致的高交流繞組損耗。初級(jí)繞組在4層PCB上共5匝且串聯(lián),次級(jí)繞組在6層PCB上且并聯(lián),以處理大電流。通過(guò)3D FEA模擬,驗(yàn)證了該設(shè)計(jì)能有效抑制磁動(dòng)勢(shì)(MMF),提高繞組傳導(dǎo)效率。
  3. 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 :基于設(shè)計(jì)的矩陣變壓器搭建了實(shí)驗(yàn)原型,測(cè)試其工作波形,在輸出功率為1.25kW時(shí)進(jìn)行了初步效率測(cè)試(包含諧振電感和輔助電源損耗)。該1.5kW LLC諧振轉(zhuǎn)換器模塊尺寸為90mm x 30.5mm x 11mm ,適配標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS,開(kāi)關(guān)頻率超600kHz,效率超97.5%。搭配98.5%的圖騰柱PFC后,系統(tǒng)在50%負(fù)載時(shí)峰值效率超96%,滿足80Plus鈦金標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵問(wèn)題

  1. Navitas GaN IC與傳統(tǒng)硅基器件相比,在提升電源性能方面有哪些關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)?
    • Navitas GaN IC集成了GaN HEMT和定制驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的柵極電壓控制,開(kāi)關(guān)速度更快。相比傳統(tǒng)硅基器件,GaN具有更大帶隙、更高電子遷移率和速度,能將開(kāi)關(guān)頻率提高到硅基器件的五倍以上,且在高頻下仍能保持較高效率,有助于提升電源的功率密度。
  2. 在矩陣變壓器設(shè)計(jì)中,確定輸出組數(shù)的依據(jù)是什么?
    • 確定輸出組數(shù)主要依據(jù)是平衡同步整流器(SR)的驅(qū)動(dòng)損耗、傳導(dǎo)損耗和系統(tǒng)成本,同時(shí)要考慮電路板的空間限制。通過(guò)計(jì)算不同輸出組數(shù)下SR的各類損耗,綜合權(quán)衡后確定六組輸出為最優(yōu),之后經(jīng)過(guò)優(yōu)化減少為三組,以在滿足功率輸出要求的同時(shí),降低損耗并合理利用空間。
  3. 采用PCB基矩陣變壓器會(huì)面臨什么挑戰(zhàn),如何解決?
    • 采用PCB基矩陣變壓器面臨的主要挑戰(zhàn)是由于趨膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)導(dǎo)致的高交流繞組損耗。解決方法是采用10層PCB并實(shí)施交錯(cuò)結(jié)構(gòu),通過(guò)合理安排繞組,使初級(jí)繞組在4層PCB上串聯(lián),次級(jí)繞組在6層PCB上并聯(lián),有效抑制磁動(dòng)勢(shì)(MMF),從而降低交流繞組損耗,提高繞組傳導(dǎo)效率 。

審核編輯 黃宇

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    誰(shuí)發(fā)明了氮化功率芯片?

    、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。 應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化領(lǐng)域工作了 20 多年,
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    發(fā)表于 06-15 15:35

    為什么氮化比硅更好?

    1MHz 以上。新的控制正在開(kāi)發(fā)中。微控制和數(shù)字信號(hào)處理(DSP),也可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)目前軟開(kāi)關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),而目前廣泛采用的、為1-2
    發(fā)表于 06-15 15:53

    什么是氮化功率芯片?

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