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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

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如何解決服務(wù)器電源高頻損耗難題

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2023-05-10 標(biāo)簽:服務(wù)器氮化鎵 815 0

用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

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激光雷達(dá)(LiDAR)基于通過(guò)將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測(cè)量反射的飛行時(shí)間來(lái)估算距離的原理。通過(guò)將發(fā)射光掃過(guò)真實(shí)世界的場(chǎng)景,可以收集三維信息以供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...

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什么是寬禁帶半導(dǎo)體?

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半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 1.1萬(wàn) 0

第一個(gè)木制晶體管問(wèn)世,主頻1Hz!

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前不久,來(lái)自瑞典的研究人員就設(shè)計(jì)并測(cè)試了第一個(gè)木制晶體管。團(tuán)隊(duì)發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文,討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管...

2023-05-04 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵碳化硅 445 0

還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難?試試這兩個(gè)器件

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面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用,電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。

2023-04-28 標(biāo)簽:晶體管FET氮化鎵 953 0

氮化鎵(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

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到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu),它們分別為纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zincblende)和巖鹽礦(Rocksalt)。通常的情況下...

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氮化鎵材料的分析方法

X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來(lái)精確測(cè)定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的檢測(cè)方法,測(cè)試方法簡(jiǎn)單、方便、測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確,可以準(zhǔn)確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞,因此是一種非常...

2023-04-29 標(biāo)簽:晶體氮化鎵X射線 1102 0

 什么是GaN氮化鎵?Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比

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由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),GaN 充電器的運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...

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納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路

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氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

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本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì),概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用,并簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計(jì)中,相較于硅基器件所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。

2023-04-19 標(biāo)簽:二極管晶體管氮化鎵 5764 0

用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

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氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...

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LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個(gè)小知識(shí)

雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成,256級(jí)灰度的雙基色顯示屏可顯示65,536種顏色(雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色)。全彩色LED顯示屏由紅...

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基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過(guò)凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 458 0

采用氮化鎵IC的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向

在現(xiàn)代汽車中,增加的重量和更寬的前輪胎使無(wú)輔助轉(zhuǎn)向變得不切實(shí)際,因?yàn)閷?duì)操作員的阻力增加。因此,幾年前,采用了電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向。一開始,對(duì)駕駛員的輔助是通過(guò)液...

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第一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別?

第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。

2023-04-04 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET摩爾定律 1.7萬(wàn) 0

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氮化鎵(GaN)是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體,其開關(guān)速度比硅元件快20倍,并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開關(guān)...

2023-04-04 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2362 0

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

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銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽:IGBT氮化鎵功率模塊 3878 0

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

氮化鎵在任何功率級(jí)別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性,同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來(lái)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,您必須至少對(duì)其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡,...

2023-03-31 標(biāo)簽:電源適配器氮化鎵 700 0

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