IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標簽：IGBTSiC氮化鎵 3349 0

基于氮化鎵的電力電子器件和轉(zhuǎn)換器

對于電阻負載，當前波形的形狀與電壓波形電流波形不平滑，紋波含量高。

2023-03-27 標簽：轉(zhuǎn)換器電力電子器件氮化鎵 374 0

擴展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求

日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應(yīng)用...

2023-03-24 標簽：功率開關(guān)PDSiC 1171 0

淺談納米氮化鎵的合成制備方法

GaN 是一種優(yōu)異的直接帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優(yōu)良的光電性能、熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，是制作高亮度藍綠發(fā)光二極管( LED) ...

2023-03-23 標簽：發(fā)光二極管激光二極管氮化鎵 2158 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7246 0

探索GaN-on-Si技術(shù)難點

GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

2023-03-10 標簽：led氮化鎵GaN 1683 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。

2023-02-27 標簽：MOSFETSiC氮化鎵 599 0

氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的...

2023-02-25 標簽：氮化鎵GaNLEDs 1226 0

ST數(shù)字電源指南概述

數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于電源管理應(yīng)用的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復(fù)雜拓撲以及設(shè)計靈活性等諸多優(yōu)勢。 關(guān)鍵特性與優(yōu)...

2023-02-22 標簽：電源管理ST數(shù)字電源 1239 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強共價鍵，是一種堅固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標簽：氮化鎵碳化硅 4450 0

砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標簽：氮化鎵砷化鎵 7881 0

氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析

　氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。

2023-02-20 標簽：電磁干擾氮化鎵砷化鎵 2.7萬 0

氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。

2023-02-20 標簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.4萬 0

GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2398 0

氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只...

2023-02-20 標簽：pcb驅(qū)動器晶體管 932 0