電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料,最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成,2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。經(jīng)過五六年的培育,氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域已不再局限于
2024-03-28 09:06:55
4232 
的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵,并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
,引入了“氮化鎵(GaN)”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器有什么不一樣呢?今天我們就來聊聊。材質(zhì)不一樣是所有不同的根本
傳統(tǒng)的普通充電器,它的基礎(chǔ)材料是硅,硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
采用傳統(tǒng)的表面貼裝生產(chǎn)方法及其相關(guān)的生產(chǎn)效率。這樣,采用塑料封裝氮化鎵進(jìn)一步助推了供應(yīng)鏈成本的下降?!漕l能量的潛力——————氮化鎵的性能結(jié)合硅成本結(jié)構(gòu)將加速射頻領(lǐng)域的創(chuàng)新,為市場打開
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
有限公司承辦。 本屆論壇為期3天,同期二十余場次會(huì)議,25日上午 “氮化鎵材料與器件技術(shù)”分會(huì)如期召開,分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料,高效量子
2018-11-05 09:51:35
,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個(gè)方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
% 化學(xué)物及能源損耗,此外還能,再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料,那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢,將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
材料特性對比展開,通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進(jìn)行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置:示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步:電路設(shè)計(jì)和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
帶半導(dǎo)體,相比常規(guī)的硅材料,開關(guān)速度更快,具有更高的耐壓。在降低電阻的同時(shí),還能提供更高的過電壓保護(hù)能力,防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS,氮化鎵低阻抗優(yōu)勢可以
2023-02-21 16:13:41
認(rèn)證和用于航天航空應(yīng)用。
EPC憑借“測試器件至失效”的方法對其氮化鎵器件進(jìn)行可靠性測試,而且測試標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于JEDEC的標(biāo)準(zhǔn),從而提高一代又一代的氮化鎵器件的穩(wěn)健性。該方法找出器件內(nèi)在故障機(jī)制,用于
2023-06-25 14:17:47
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛?
2025-11-14 07:25:48
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對簡單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:00
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最近風(fēng)靡的氮化鎵充電器,對我們消費(fèi)者最直觀的感覺就是小。當(dāng)然,在充電功率等同的情況下,體積越大的充電器,散熱必然就越好,如果一個(gè)充電器不做好電路可靠性就貿(mào)然縮小體積,就會(huì)有爆炸等隱患。氮化鎵充電器之所以能夠做的這么小,最主要的原因就是用了氮化鎵材質(zhì)的FET取代了傳統(tǒng)的硅材料。
2020-06-16 15:50:09
6092 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為
2020-11-20 14:08:17
7688 現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-11-07 13:36:00
43 氮化鎵和碳化硅一樣,不斷地挑戰(zhàn)著硅基材料的物理極限,多用于電力電子、微波射頻領(lǐng)域,在電力電子的應(yīng)用中,氮化鎵的禁帶寬度是硅基材料的3倍,同時(shí)反向擊穿電壓是硅基材料的10倍,與同等電壓等級(jí)的硅基材料
2021-11-17 09:03:45
3773 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料,在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢是led,微波,以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管,利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:08
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氮化鎵是一種寬能隙材料,它能夠提供與碳化硅(SiC)相似的性能優(yōu)勢,但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認(rèn)為,在未來數(shù)年間,氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價(jià)格。
2022-11-04 09:14:23
12593 
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)和氮化鎵
2022-12-13 10:00:08
3919 什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:45
4118 氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表,是5G時(shí)代的主要材料,其中氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的市場和發(fā)展空間最大。 氮化鎵作為
2023-02-03 14:38:46
3001 氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當(dāng)前發(fā)展最成款的競禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對氮化鎵的研究重視,美歐日等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應(yīng)用范圍卻超過
2023-02-03 14:58:16
1922 氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一,氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料,許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。
2023-02-05 12:48:15
27978 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長法,需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲,為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:00
7537 氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn),從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料,而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目前第三代半導(dǎo)體材料主要有三族化合物半導(dǎo)體材料
2023-02-05 15:01:48
8941 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵,該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10906 
氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。
2023-02-06 09:46:09
3643 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:33
7273 
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成,相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:56
2409 
可換成氮化鎵就不一樣了,單車變轎車,開關(guān)頻率得到大幅提升,損耗還更小。如此一來,充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器體積,降低發(fā)熱、提高效率。氮化鎵充電器是好東西,但是價(jià)格也同樣不便利,現(xiàn)在一款品牌的氮化鎵充電器價(jià)格都要200元以上。
2023-02-11 11:36:15
3202 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性,將其結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:58
2277 硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料,但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能,可以用于制造電子元件,而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性,可以用于制造熱敏元件。此外,硅基氮化鎵的成本更低,而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:15
2751 氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料,相對硅而言,氮化鎵間隙更寬,導(dǎo)電性更好,將普通充電器替換為氮化鎵充電器,充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:50
9676 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有良好的電子特性,可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件,如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:01
4179 來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中,氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:20
4100 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:14
29358 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料,在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢是led,微波,以
及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管,利用了氮化鎵
2023-02-21 14:57:37
4 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì),也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:15
1497 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵,該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41
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氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),因此廣泛用于以下領(lǐng)域: 1. 發(fā)光二極管(LED):氮化鎵是LED的主要工藝材料之一,可用于制造藍(lán)、綠、白光LED,廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:46
13932 相對于傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:23
10672 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40
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氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢,能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56
1026 作為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn),是制作功率芯片的理想材料。如今,電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率,減少熱量的產(chǎn)生,并且縮小了充電器的體積,使用戶在日常出行時(shí)更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33
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隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而氮化鎵(GaN)材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性,氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用,以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:05
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不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件,它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44
2505 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用,已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
2023-11-08 15:59:36
1544 氮化鎵充電器什么意思?氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么? 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵(GaN)材料制造的充電器。GaN是一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高電子遷移率、高熱
2023-11-21 16:15:24
7003 ,氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢,同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn),以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵(GaN)是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:30
11008 的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為17
2023-11-24 11:05:11
7181 使用的材料。 氮化鎵的提取過程: 氮化鎵的提取過程主要包括兩個(gè)步驟:金屬鎵的提取和氮化反應(yīng)。 金屬鎵的提取 金屬鎵是氮化鎵的基本組成元素之一。為了提取金屬鎵,我們通常采用化學(xué)反應(yīng)的方法。常用的方法是將氮化鎵芯片在高
2023-11-24 11:15:20
6429 氮化鎵充電寶和普通充電寶是兩種不同類型的便攜式電池充電設(shè)備。它們之間的主要區(qū)別在于材料和性能,對比這兩種充電寶可以幫助用戶選擇適合自己需求的產(chǎn)品。 首先,氮化鎵充電寶采用的是氮化鎵材料作為陽極材料
2024-01-09 17:21:32
16995 晶體管)結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成: 襯底:氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層:氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵,形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大,由于
2024-01-09 18:06:41
6132 對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進(jìn)行比較分析,幫助讀者了解不同型號(hào)芯片的特點(diǎn)和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵(GaN)是一種硅基半導(dǎo)體材料,具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強(qiáng)度,使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:57
3840 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:32
4486 氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢,合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:02
5949 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里,氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先,我們來介紹
2024-01-10 10:03:21
6728 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,由氮?dú)夂徒饘?b class="flag-6" style="color: red">鎵反應(yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性,因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹
2024-01-10 10:06:30
2382 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片,它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和差異。 首先,從材料屬性上來看,氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:14
3855 的生產(chǎn)首先需要準(zhǔn)備好所需的原材料。氮化鎵是由高純度金屬鎵和氮?dú)馔ㄟ^化學(xué)氣相沉積(CVD)或分子束外延(MBE)等方法制備而成。高純度金屬鎵用于制備Ga熱源,而氮?dú)鈩t用于形成氮化反應(yīng)。此外,還需要購買其他輔助材料,例如基
2024-01-10 10:09:41
4135 芯片的研發(fā)過程。 研究和理論分析 氮化鎵芯片的研發(fā)過程首先始于對材料本身的研究和理論分析。研究人員會(huì)通過實(shí)驗(yàn)和理論計(jì)算,探索不同的材料配比和工藝,并確定最適合制備氮化鎵芯片的方法和條件。他們會(huì)研究氮化鎵的物理性
2024-01-10 10:11:39
2150 氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵是由鎵(Ga)和氮(N)元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:33
6030 氮化鎵不是充電器類型,而是一種化合物。 氮化鎵(GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來,氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29
2311 氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個(gè)更先進(jìn),并不是一個(gè)簡單的二元對立問題,因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場
2024-09-02 11:37:16
7232 什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:49
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