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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成,最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu),其特征是有兩個(gè)晶格常數(shù)(圖中標(biāo)記為a 和 c)。
近年來,電動(dòng)汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展,對(duì)功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能...
GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
提供精確測(cè)量磁芯損耗的能力對(duì)于磁設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)具有重要意義。由于碳化硅和氮化鎵等能夠在越來越高的頻率下運(yùn)行的新半導(dǎo)體技術(shù)的引入,該主題變得越來越重要。這些...
氮化鎵 (GaN) 技術(shù):屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...
晶體結(jié)構(gòu)是通過原子(或離子/分子)組的周期性分布來實(shí)現(xiàn)的。理想情況下,考慮到在空間坐標(biāo)中延伸到無窮大的晶體,周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性(或平移對(duì)稱性)。因此...
GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用
在過去幾年中,氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...
2022-07-29 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1577 0
使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì);電動(dòng)汽車充電;加熱,通風(fēng)和空調(diào); 電器;和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中,氮化鎵取...
2022-07-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1345 0
就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣,當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺(tái)時(shí),Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來,隨...
對(duì)于那些堅(jiān)持使用經(jīng)典放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的人來說,他們的要求將集中在準(zhǔn)確的音頻再現(xiàn)上,而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環(huán)境中是完全合理的,但...
通過硅和GaN實(shí)現(xiàn)高性能電源設(shè)計(jì)
MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合,以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器,適用于高達(dá) 400 W 的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN...
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 (HEMT)的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu),2具有由電壓驅(qū)...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具...
高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢(shì)
從智能手機(jī)和電動(dòng)汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心,電源管理已日益成為我們?nèi)粘J褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年,高效電源管理常常被其他設(shè)計(jì)...
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵(GaN)器件具有類似硅的電性能,可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。
氮化鎵集成電路縮小電動(dòng)自行車和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面,優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品推出市場(chǎng)的時(shí)間。我們可以把這...
2022-06-06 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2720 0
采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282,順利通過了USB-IF的PD3.0認(rèn)證,TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體氮化鎵 5879 0
提高能效一直是電源制造商的一個(gè)長(zhǎng)期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”,因?yàn)檫@不僅降低運(yùn)行成本,而且減少了以熱的形式浪費(fèi)能量,意味著需要更少的散熱管理,從而減小了電...
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