NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片，用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 8541 1

氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈分析

隨著技術(shù)的發(fā)展，終端設(shè)備對(duì)于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，特別是隨著5G的即將到來，也進(jìn)一步推動(dòng)了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材...

2019-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.1萬 0

什么是氮化鎵？氮化鎵何以占據(jù)C位？

GaN在成本控制方面顯示出了更強(qiáng)的潛力。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件，來替代昂貴的SiC襯底。有分析預(yù)測(cè)，到2019年Ga...

2019-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 2.8萬 0

氮化鎵器件和解決方案的進(jìn)展與應(yīng)用分析

觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國(guó)防業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...

2019-08-05 標(biāo)簽：adi氮化鎵 3305 0

FLOSFIA公司開發(fā)出了一種廉價(jià)制造氧化鎵晶體的方法

FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術(shù)發(fā)展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結(jié)晶的方法獲得。密度...

2019-02-26 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 8666 0

基于GaN的特性，越來越多的人看好其發(fā)展的后勢(shì)

而GaN技術(shù)可以做到，因?yàn)樗悄壳叭蜃羁斓墓β书_關(guān)器件，并且可以在高速開關(guān)的情況下仍保持高效率水平，能夠應(yīng)用于更小的元件，應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)...

2019-01-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵半導(dǎo)體器件 5516 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實(shí)現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實(shí)調(diào)制了漏極電流（高達(dá)1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 3742 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測(cè)器

華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測(cè)器。

2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3891 0

5G發(fā)展帶動(dòng)硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè),硅基氮化鎵應(yīng)用發(fā)展廣泛

與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個(gè)單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體...

2018-11-10 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵5G 9324 0

基于GaN的開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)是關(guān)鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達(dá)14V，而不考慮VDD軌電壓。同時(shí)，在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中，低傳播延遲和軌到軌的時(shí)鐘傾斜對(duì)效率也是至關(guān)重要...

2018-10-19 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 2.2萬 0

移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)5G開發(fā)基于氮化鎵（GaN）的經(jīng)濟(jì)高效的高性能技術(shù)

基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點(diǎn)。它們記錄無線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫，基站技術(shù)需要滿足兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)：輸出功率需要提高，同時(shí)保持...

2018-09-20 標(biāo)簽：移動(dòng)通信氮化鎵5G 5741 0