一文看懂氮化鎵和碳化硅在混合動(dòng)力汽車中的作用

歐盟制定了一個(gè)雄心勃勃的目標(biāo)，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，汽車行業(yè)的貢獻(xiàn)將非常重要。美國(guó)企業(yè)平均燃油經(jīng)濟(jì)性（CAF...

2018-03-25 標(biāo)簽：混合動(dòng)力汽車氮化鎵碳化硅 2.1萬(wàn) 0

3.4GHz-3.8GHz寬帶基站功放解決方案詳細(xì)過(guò)程

中國(guó)首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產(chǎn)企業(yè)蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），發(fā)布適合5G移動(dòng)通信的寬...

2018-05-08 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵5g 1.0萬(wàn) 0

GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡(jiǎn)介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)...

2018-01-18 標(biāo)簽：二極管mosfet分立器件 1.4萬(wàn) 0

在氮化鎵技術(shù)中，熱設(shè)計(jì)與電氣設(shè)計(jì)同等重要

為管理今天的熱設(shè)計(jì)，電路設(shè)計(jì)人員讓熱量在半導(dǎo)體表面擴(kuò)散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設(shè)計(jì)不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因?yàn)?..

2018-01-04 標(biāo)簽：氮化鎵電氣設(shè)計(jì)熱設(shè)計(jì) 6103 0

詳細(xì)剖析新型氮化鎵功率器件的技術(shù)特性

最近，麻省理工學(xué)院（MIT）、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì)，讓氮化鎵功率器件處理的電...

2018-01-04 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬(wàn) 0

基于GaN固態(tài)放大器可實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用設(shè)計(jì)

以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)； 現(xiàn)在，GaN已被部署到機(jī)載電子戰(zhàn)領(lǐng)域； 未來(lái)，GaN將會(huì)越來(lái)越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。

2017-09-18 標(biāo)簽：氮化鎵毫米波 8112 0

實(shí)現(xiàn)超高功效的新一代非對(duì)稱型Doherty放大器QPD2731

該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運(yùn)營(yíng)成本。

2017-08-30 標(biāo)簽：放大器氮化鎵qpd2731 8426 0

解讀射頻GaN市場(chǎng)的機(jī)遇及未來(lái)發(fā)展

今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異?；钴S，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了...

2016-12-14 標(biāo)簽：射頻氮化鎵gan 4837 0

TI分享五大妙招，輕松應(yīng)對(duì)電源挑戰(zhàn)

“設(shè)計(jì)人員必須知道如何正確且安全地構(gòu)建這些產(chǎn)品，這也需要更高的專注度和更加嚴(yán)格的要求，因?yàn)橥ǔＴO(shè)計(jì)人員面臨的不僅僅是一個(gè)電氣問(wèn)題，”TI的電源管理專家D...

2016-07-21 標(biāo)簽：TI氮化鎵電源管理設(shè)計(jì) 881 0

安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

氮化鎵(GaN)，作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...

2016-06-28 標(biāo)簽：安森美氮化鎵GaN 2852 0

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問(wèn)題有解

近年來(lái)氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標(biāo)簽：LCD氮化鎵GaN 2660 0

基于氮化鎵的LED具有更低成本效益

過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron（愛(ài)思強(qiáng)）公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...

2012-07-31 標(biāo)簽：LED氮化鎵晶片 1947 0

歐司朗新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。

2012-05-31 標(biāo)簽：歐司朗氮化鎵藍(lán)寶石襯底 1072 0