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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級(jí)
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) ...
LMG342x 評(píng)估模塊LMG342X-BB-EVM概述
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 320 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) ...
2025-02-21 標(biāo)簽：FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 334 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) ...
TI DRV7308 具有保護(hù)和電流檢測(cè)功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN)，用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 450V 直流電源軌的三相 ...
過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán)，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此，在本文中，...
目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個(gè)主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫(xiě)，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)...
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級(jí)增加U8609料號(hào)，同時(shí)具備了輸入欠壓及軟入過(guò)壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過(guò)來(lái)！
2025-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率開(kāi)關(guān)管快充芯片 459 0
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、...
2025-02-07 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)氮化鎵電源芯片 600 0
測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的影響
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底...
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和...
2025-01-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源氮化鎵電源芯片 671 0
帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號(hào)分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2...
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時(shí)，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對(duì)功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景中，進(jìn)一步...
在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
2024-12-24 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)氮化鎵電源芯片 686 0
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵（Gallium Nitride，簡(jiǎn)稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體氮化鎵 3023 0
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場(chǎng)上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...
德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場(chǎng)創(chuàng)新
一直以來(lái)，可再生能源利用的一大問(wèn)題是缺乏彈性，比如對(duì)于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無(wú)法根據(jù)需求而定。不過(guò)，隨著儲(chǔ)能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。
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