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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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這里將建成國際前三的氮化鎵單晶襯底研發(fā)基地與高端產品生產基地
1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“納維科技”）總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項目占地面積超14000平方米，總建筑面積超34000平方米...
近些年，輕量化、低成本和小型化的曲率傳感器在呼吸監(jiān)測、關節(jié)角度評估和運動頻率測量等人體運動監(jiān)測領域廣受關注。尤其是基于光纖的曲率傳感器，因其成本低、耐腐...
充電頭網已經拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案，這款方案采用了智融推出的初級主控芯片和降壓協(xié)議芯片，為固定電壓輸出，搭配二次降壓電路實現(xiàn)多口快充，...
氮化鎵用途和性質 第三代半導體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...
2023-02-03 標簽：氮化鎵 2688 0
VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術挑戰(zhàn)。選擇合理的產業(yè)化路線對推動Micro LED應用落地非常關鍵。
Knowmade分析師檢索、篩選并分析了全球范圍內截至2020年8月公布的6300多項專利，包括了500多個不同專利申請人提交的3000多個發(fā)明專利家族...
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電...
9月4日，聚燦光電發(fā)布關于子公司簽署《投資合同書》的公告，將總投資35億元生產Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產品。 公告顯示，聚燦光電...
日前，紫米公司發(fā)布致歉公告，表示ZMI 33W氮化鎵充電器，因不可抗力原因導致無法如期上市，具體日期待定中，更新進度會及時告與大家，望理解體諒。
第四屆第三代半導體材料及裝備發(fā)展研討會在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會，并受邀發(fā)表主題演講，與產業(yè)鏈上下游、設備及關鍵零部件研究、生產單位專家代...
第三代半導體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩(wěn)定性等特點，被業(yè)內譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...
上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上現(xiàn)役最大的單體載人航天艙段送上...
2022-08-01 標簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 2618 0
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺， 旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng) 和加快產品
宜普電源轉換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。 宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Ta...
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
氮化鎵mos管普通的驅動芯片可以驅動嗎？ 當涉及到驅動氮化鎵（GaN）MOS管時，需要考慮多個因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護等。通常...
GaN加速商業(yè)化進程 國內GaN產業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍色發(fā)光器件中具...
硅基氮化鎵是第三代半導體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...
對于經常有出差需求的筆者來說，Macbook是必須隨身攜帶的，至于手機自然也是不可或缺的機不離身，有時還會擔心行程時間太久遠，帶上HiFi播放器一路上聽...
然而，一個諧波濾波器需要一個保護帶，以達到對帶內頻率低端的二次諧波的最小抑制要求。例如，如圖2所示，第一個頻段不能是30至60MHz，或一個倍頻程，因為...
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