第四屆第三代半導體材料及裝備發(fā)展研討會在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會，并受邀發(fā)表主題演講，與產業(yè)鏈上下游、設備及關鍵零部件研究、生產單位專家代表共同深入研討，為行業(yè)發(fā)展群策群力。

主題演講

氮化鎵外延設備技術進展

郭世平

中微公司副總裁兼MOCVD

產品事業(yè)部總經理

報告闡述了氮化鎵材料的性能及其應用，介紹了中微公司MOCVD設備技術的發(fā)展進程及主要產品的性能，并對Micro-LED用MOCVD新技術，12"硅基氮化鎵MOCVD技術及氮化鎵基紅光LED技術國內外研發(fā)進展及未來發(fā)展方向做了分享。

專題討論

中微公司副總裁兼MOCVD產品事業(yè)部總經理郭世平主持了26日下午的會議報告及第一環(huán)節(jié)專題討論。專題討論圍繞生長腔的溫度如何控制、如何實現(xiàn)高效率和高良率切割、如何實現(xiàn)高精度拋光、如何做好缺陷檢測等內容展開，眾多知名企業(yè)專家代表共同參與，就行業(yè)熱點話題展開了深入探討。

本次會議由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，與第七屆中國先進材料產業(yè)博覽會同期(8月25日-27日)舉行，并在博覽會上特別安排了先進半導體材料與裝備展覽，眾多高端裝備材料和先進材料相關企業(yè)參展交流。

第三代半導體在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有特別突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，是支撐下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網等產業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉型升級的重點核心材料和關鍵電子元器件。

關于中微半導體設備(上海)股份有限公司

中微半導體設備(上海)股份有限公司(證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術解決方案。中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產業(yè)的基礎，它們正在改變人類的生產方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到5納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備已在客戶生產線上投入量產，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領先地位。

審核編輯：湯梓紅