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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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近年來，氮化鎵開關(guān)非?；鸨?，PI的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開關(guān)，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開關(guān)。閻金光說，氮化鎵開關(guān)導(dǎo)通電阻低，比...
在過去的半個(gè)世紀(jì)，硅一直是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)，原因很顯然：到現(xiàn)在為止，硅是大規(guī)模應(yīng)用于最新消費(fèi)、商業(yè)和工業(yè)技術(shù)最完美的半導(dǎo)體材料。但是現(xiàn)在，面對(duì)一種可提...
第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...
愛美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭，采用茂睿芯成熟穩(wěn)定的 IC 芯片及第三代半導(dǎo)體制造商-潤(rùn)新微 GaN-MOS，充電器具備 2...
亞成微氮化鎵功率集成方案滿足小型化大功率快充電源設(shè)計(jì)要求
2021（秋季）USB PD & Type-C 亞洲展將于12月在深圳舉辦。屆時(shí)，亞成微產(chǎn)品經(jīng)理周聰先生將為大家分享多款PD快充 GaN和超結(jié)M...
2021-12-16 標(biāo)簽：芯片電源設(shè)計(jì)氮化鎵 2260 0
奧運(yùn)冠軍代言全新小米手機(jī) Civi，納微半導(dǎo)體與小米四度合作！
納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件？氮化鎵半導(dǎo)體器件特點(diǎn)是什么？
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非...
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
本期為大家?guī)淼氖?00W氮化鎵充電器詳細(xì)介紹拆解。
本期為大家?guī)淼氖?00W氮化鎵充電器詳細(xì)介紹拆解。 這款充電器配備折疊插腳以及2C1A接口，兩個(gè)USB-C口均支持100W PD快充和PPS快充，US...
放眼當(dāng)下市場(chǎng)，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國(guó)外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇空間十分有限，同時(shí)也蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。日前，智融科技推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片...
測(cè)量一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器中的反向恢復(fù)不太容易。電流探頭太大，并且會(huì)大幅增加功率級(jí)環(huán)路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個(gè)分流電阻器怎么樣？這聽起來...
最近在朋友圈轉(zhuǎn)發(fā)了一篇題目是重磅！全球最大氮化鎵生產(chǎn)線月底通線試產(chǎn)！的文章，表示不太看好，引來不少朋友的不同評(píng)價(jià)。正好這幾天給女兒講皇帝的新裝的故事，我...
大賽資訊|華南賽區(qū)第一名：晶通半導(dǎo)體（JTM）獲千萬級(jí)人民幣種子輪戰(zhàn)略融資
晶通半導(dǎo)體（JTM）的智能驅(qū)動(dòng)Smart-Driver? 技術(shù)支持多種驅(qū)動(dòng)智能功能，提高了氮化鎵器件的可靠性、開關(guān)頻率、效率和用戶易用等性能。
2021-10-09 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵激光雷達(dá) 2195 0
2025年全球Micro LED市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)35億美元
Micro LED市場(chǎng)空間有望進(jìn)一步打開。
2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體LED技術(shù)LED芯片 2182 0
外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國(guó)商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對(duì)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對(duì)此我國(guó)外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制是中方...
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
硅是最常見的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...
2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2176 0
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的...
2017-04-18 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵 2163 0
氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導(dǎo)體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅基設(shè)備快幾倍，從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外，它...
2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器設(shè)計(jì) 2157 0
隨著電動(dòng)汽車和無人機(jī)等高功率設(shè)備的快速發(fā)展，對(duì)快速、高功率和高效的充電需求也越來越高。而氮化鎵充電器作為一種新興的半導(dǎo)體材料，可以幫助滿足這些需求。在本...
2023-05-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電器氮化鎵 2153 0
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