探討軍用雷達(dá)發(fā)展史和新體制雷達(dá)發(fā)展方向

《兵器知識(shí)》就中國(guó)軍用雷達(dá)發(fā)展史、相控陣?yán)走_(dá)的先進(jìn)性、空警 500 等國(guó)產(chǎn)雷達(dá)的發(fā)展，專訪了毛二可院士。

2018-11-30 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵 1.9萬(wàn) 0

關(guān)于國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商介紹

司擁有國(guó)際先進(jìn)的德國(guó)愛思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測(cè)系統(tǒng)、可靠性測(cè)試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，...

2019-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.8萬(wàn) 0

關(guān)于國(guó)內(nèi)的氮化鎵供應(yīng)商介紹

根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023年全球預(yù)測(cè)”稱，氮化鎵器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2016年的165億美元，增長(zhǎng)至2...

2019-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率氮化鎵 1.6萬(wàn) 0

英飛凌收購(gòu)氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，仍有數(shù)十億歐元并購(gòu)金

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）北京時(shí)間3月3日，英飛凌官宣收購(gòu)氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，交易總值8.3億美元現(xiàn)金，約合57億元人民幣。 ...

2023-03-06 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵半導(dǎo)體并購(gòu) 1.6萬(wàn) 0

三安集成：6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計(jì)在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案；本次慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和服務(wù)；SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況，以及三安集成在...

2020-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.5萬(wàn) 0

氮化鎵與硅相比有何優(yōu)勢(shì)?

晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此，工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案...

2020-10-22 標(biāo)簽：電源晶體管氮化鎵 1.5萬(wàn) 0

鎵、鍺作為半導(dǎo)體材料有什么用途？

眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。

2023-07-06 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池led照明半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

5G時(shí)代,硅基氮化鎵市場(chǎng)潛力巨大!

未來十年，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模有望突破10億美元。

2019-04-28 標(biāo)簽：氮化鎵5G 1.4萬(wàn) 0

氮化鎵快充進(jìn)入200W時(shí)代！大功率充電方案揭秘！

電子發(fā)燒友報(bào)道（文/李誠(chéng)）隨著硅基氮化鎵成本的下探，65W氮化鎵快充已成為眾多手機(jī)的入門級(jí)標(biāo)配。氮化鎵技術(shù)的普及，使得原本臃腫的充電器變得更輕便小巧，在...

2022-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 1.3萬(wàn) 0

什么是LLC電源拓?fù)?盤點(diǎn)那些LLC架構(gòu)100W氮化鎵快充

什么是LLC電源拓?fù)?LLC架構(gòu)屬于雙管半橋諧振，采用諧振電感、勵(lì)磁電感和諧振電容串聯(lián)，故名LLC。采用零電壓開關(guān)（ZVS）軟開關(guān)技術(shù)，具有工作頻率高、...

2021-09-19 標(biāo)簽：氮化鎵LLC電源拓?fù)?/a> 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵用途有哪些？氮化鎵用途和性質(zhì)是什么解讀

氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一...

2023-06-02 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵助力，電源管理迎大變革

氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場(chǎng)主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級(jí)的提升。例如，相比主流的硅基MOSFET、IGBT，氮化鎵功率器件的開...

2017-08-07 標(biāo)簽：電源管理氮化鎵氮化鎵電源 1.2萬(wàn) 10

聚力成半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶重慶 將有望突破我國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸

11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項(xiàng)擬投資50億元...

2018-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬(wàn) 0

常見的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.2萬(wàn) 0

5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報(bào)道，引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗，節(jié)約電費(fèi)，中國(guó)聯(lián)通在洛陽(yáng)某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽：電源氮化鎵功率密度 1.2萬(wàn) 0

氮化鎵推動(dòng)無線充電應(yīng)用

無線充電在技術(shù)行業(yè)中變得越來越普遍，提供了一種更方便的設(shè)備充電方式，而無需使用電纜或插頭。隨著技術(shù)的進(jìn)步，由于氮化鎵（GaN）功率器件的使用，無線充電變...

2023-07-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件氮化鎵 1.1萬(wàn) 1