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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

全面分析氮化鎵的誕生、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和未來(lái)突破

越來(lái)越多的人在使用手機(jī)快充充電器的時(shí)候可能不經(jīng)意間會(huì)發(fā)現(xiàn)氮化鎵(GaN)這個(gè)專(zhuān)業(yè)名詞,實(shí)際上,正是“氮化鎵”這一第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)突破,讓第三代半導(dǎo)...

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直擊深圳禮品展!氮化鎵、無(wú)線充擠爆充電市場(chǎng),智能穿戴、智能家居再迎破局新風(fēng)向

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功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代!

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式,就是擴(kuò)大晶圓尺寸,就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后,繼續(xù)擴(kuò)大晶圓...

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是時(shí)候采用氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)DC/DC轉(zhuǎn)換器了

很多工程師提問(wèn)關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體,因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個(gè)...

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GaN功率器件的兩種技術(shù)路線對(duì)比

這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃?,國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020年,GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬(wàn)美元,相比2019年增長(zhǎng)了...

2022-01-26 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 6391 0

又一個(gè)里程碑!全球首家8英寸氮化鎵工廠量產(chǎn)

2021年6月5日,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年,是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè),...

2021-06-08 標(biāo)簽:氮化鎵英諾賽科 6390 0

耐威科技子公司成功研制“8 英寸硅基氮化鎵外延晶圓

耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”的研制成功,使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的...

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第三代半導(dǎo)體襯底材料供應(yīng)商 中圖科技科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問(wèn)詢(xún)狀態(tài)

4月21日,上海證券交易所網(wǎng)站顯示,廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“中圖科技”)科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問(wèn)詢(xún)狀態(tài)。 ? 中圖科技是一家面向藍(lán)寶石上氮化鎵...

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探析意法半導(dǎo)體未來(lái)功率GaN路線圖

Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面,討論意法半導(dǎo)體...

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氮化鎵功率器件再升級(jí):GaNsense?技術(shù)能帶來(lái)怎樣的改變?

相比傳統(tǒng)的硅器件,氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度要比硅快20倍,體積和重量更小,在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時(shí)相比于硅,氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍...

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近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能?chē)?guó)際6-8...

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浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目開(kāi)工 將對(duì)“中國(guó)芯”打造提供強(qiáng)勁助力

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可在25至300攝氏度的溫度范圍內(nèi)工作的氮化鎵存儲(chǔ)器

在可耐高溫的下一代電子產(chǎn)品方面,Zhao和他的團(tuán)隊(duì)最近在IEEE Electron Device Letters上介紹了他們研發(fā)的可在25至300攝氏度...

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倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點(diǎn)啟示

19年12月份,購(gòu)買(mǎi)了一款 明星產(chǎn)品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元; 購(gòu)買(mǎi)的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...

2020-03-16 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 6132 0

什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

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 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施...

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蘋(píng)果iPhone終于加入超級(jí)快充?

好像從我使用 iPhone 以來(lái),蘋(píng)果給用戶(hù)附贈(zèng)的就一直是祖?zhèn)鞯哪穷w5V1A超級(jí)慢充電源,好不容易 iPhone 11Pro 系列給升級(jí)成了 18W 快...

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手機(jī)廠商紛紛入局 華為也將發(fā)布65W氮化鎵充電器?

小米10系列發(fā)布會(huì)讓氮化鎵充電器一舉捧紅,成為新晉網(wǎng)紅配件。小米的入局,可以說(shuō)是極大地提高了氮化鎵的關(guān)注度。

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Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC

Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開(kāi)關(guān)技術(shù)。InnoS...

2023-10-31 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵電源IC 5898 0

哪些射頻和微波技術(shù)將在2019年推動(dòng)行業(yè)發(fā)展

在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率: GaN具有軟壓縮特性,使其更容易預(yù)失真和線性化。因此,它更容易用于數(shù)字預(yù)失真(DPD)高效應(yīng)用。GaN能夠在多個(gè)蜂窩頻段...

2019-05-09 標(biāo)簽:射頻氮化鎵微波技術(shù) 5895 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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