氮化鎵新動態(tài)：傳感器融入芯片、導通電阻大幅下降

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文、李誠）氮化鎵和碳化硅一樣，不斷地挑戰(zhàn)著硅基材料的物理極限，多用于電力電子、微波射頻領域，在電力電子的應用中，氮化鎵的禁帶寬度是硅基...

2021-11-16 標簽：傳感器氮化鎵納微半導體 9185 0

120W氮化鎵充電器拆解對比：看國產(chǎn)芯片如何征服大廠

因為這兩個充電器呢都是PFC+準諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對應著相同功能部分來對比。先看一些被動元器件，像保險絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...

2022-12-14 標簽：元器件充電器氮化鎵 9151 0

納微半導體 GaN功率IC實現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器

納微 （Navitas） 半導體宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 電源適配器參考設計，以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...

2017-09-15 標簽：電源適配器氮化鎵GaN 8981 0

英飛凌新推氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動芯片

隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導體材料開始備受關(guān)注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標簽：英飛凌氮化鎵 8910 0

氮化鎵是什么半導體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點

氮化鎵屬于第三代半導體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標簽：充電器半導體材料氮化鎵 8669 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實現(xiàn)國產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？欤瑯右彩堑锇雽w...

2018-01-30 標簽：氮化鎵晶片 8369 0

射頻氮化鎵領域的知識產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

目前，有30多家廠商申請了與GaN MMIC相關(guān)的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合。科銳在該領域擁有最強大的專利布局，但作為后來者的東芝是Ga...

2019-04-11 標簽：射頻氮化鎵半導體器件 8306 0

總投資10億元 百識第三代半導體項目落戶南京浦口

近日，南京百識半導體股份有限公司（以下簡稱“百識”）第三代半導體項目正式落戶南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)（以下簡稱“浦口經(jīng)開區(qū)”）。

2019-06-21 標簽：新能源半導體氮化鎵 8292 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽w總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領域耕耘十二年，能訊半導體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點，抓住5G基站建...

2018-10-19 標簽：氮化鎵LDMOS 8068 0

氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？

氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢，比如高...

2023-11-21 標簽：充電器氮化鎵 7941 0

蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達產(chǎn)后可實現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報道，近日，蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標簽：芯片氮化鎵能訊 7918 0

意法半導體王巧娣：集成驅(qū)動器的MasterGaN系列產(chǎn)品讓GaN產(chǎn)品開發(fā)更簡單

目前GaN產(chǎn)品主要應用在消費類產(chǎn)品當中，但在未來五年中，基于第三代半導體材料的電子器件將在激光雷達、5G通信、新能源汽車、特殊行業(yè)、人工智能、數(shù)據(jù)中心以...

2021-04-22 標簽：意法半導體電力電子氮化鎵 7910 0

GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細分環(huán)節(jié)中...

2022-08-07 標簽：功率器件氮化鎵GaN 7633 0

氮化鎵中使用光電化學刻蝕技術(shù)實現(xiàn)高縱橫比深溝槽的進展

如果將PEC速率提高到175.5nm/min，則會導致表面變得粗糙。不過高速率的PEC技術(shù)可用于晶圓切割領域中。采用由90μm直徑的圓點組成的50nm厚...

2018-09-03 標簽：晶圓氮化鎵 7391 0