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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大
調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...
蔚來增持晶湛半導(dǎo)體,或推進(jìn)氮化鎵加速“上車”
據(jù)了解,2022年,晶湛半導(dǎo)體先后完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資和C輪數(shù)億元融資。其中,C輪融資本是由蔚來資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投,華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯...
格恩半導(dǎo)體發(fā)布十多款氮化鎵半導(dǎo)體激光器
氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高等優(yōu)點(diǎn),波長(zhǎng)范圍覆蓋可見光和紫外波段,應(yīng)用場(chǎng)景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域...
2023-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光芯片 923 0
這款氮化鎵充電樁的外觀采用機(jī)甲身型設(shè)計(jì),并進(jìn)行了金屬磨砂噴漆處理,內(nèi)嵌了燈帶,通過不同顏色的燈光狀態(tài)來顯示充電進(jìn)度:綠燈常亮表示已充滿,綠燈閃爍表示充電...
8日,亞洲充電展(秋季)在福田會(huì)展中心順利舉辦。作為充電行業(yè)最具人氣的展會(huì),3天展會(huì)帶來過萬人次的流量,吸引了各行業(yè)內(nèi)的專家、采購(gòu)、工程師來參觀交流。 ...
一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來,太赫茲(THz)技術(shù)已經(jīng)成為第六代(6G)無線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果,充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 ...
2023-08-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 392 0
早在2019年,做為3C配件市場(chǎng)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的香港電子展,我們就已經(jīng)察覺到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢(shì)頭:2019年4月份春節(jié)展,8款氮化鎵充電器新品參展;而到...
哪款氮化鎵芯片在第三代半導(dǎo)體中相對(duì)突出?
KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封裝的650V(200mΩ)氮化鎵(GaN)。它是一款常關(guān)器件,將KeepTops最新的高壓GaN HEMT...
GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作,因此設(shè)計(jì)人員可以更輕松地在窄帶放大器...
氮化鎵充電器方案之多口協(xié)議IP2726 A+C共享方案
英集芯廠家推出一款I(lǐng)P2726改進(jìn)版本,可以很好地解決此類問題,具體型號(hào)為IP2726_BS1的多口協(xié)議芯片,在氮化鎵充電器方案中的A+C共享方案采樣電...
基于InnoGaN ISG3201和INN040LA015A 設(shè)計(jì)的1KW DCDC電源模塊方案
繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后,英諾賽科又推出一款1000W 方案,利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn),配合磁集成方案...
2023-08-05 標(biāo)簽:電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2370 0
CGD 將首次亮相中國(guó) PCIM Asia(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)),推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
誠(chéng)邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國(guó)際博覽中心參觀 2G18 展位 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵(GaN)為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料,其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...
Anker新推出的240W臺(tái)式USB-C充電器可以為16英寸MacBook Pro快速充電
該系列還包括對(duì)去年P(guān)owerCore 24K電池組的更新 —— 現(xiàn)在有了更大的27650mAh電池組。新的250瓦Anker Prime充電除了更強(qiáng)大之...
GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么?ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件
如今,開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升,如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能,同時(shí)又不斷降低成本和縮減尺寸呢? 我們發(fā)現(xiàn),氮化鎵...
2023-08-03 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 535 0
GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國(guó)電動(dòng)車應(yīng)用市場(chǎng)
【中國(guó)上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟,共同致力于加速并擴(kuò)...
2023-08-03 標(biāo)簽:氮化鎵 600 0
納微半導(dǎo)體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用
早前,納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí),納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...
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