湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢。然而，散熱問題是制約其...

2023-03-24 標(biāo)簽：氮化鎵晶格半導(dǎo)體器件 1082 0

氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心

據(jù)統(tǒng)計，來自消費(fèi)電子快充的需求是整個氮化鎵市場主要的驅(qū)動力，占氮化鎵器件市場總規(guī)模的60%。作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵器件得益于固有優(yōu)勢，未來會在功率領(lǐng)域...

2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 922 0

GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。

2023-03-20 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵GaN 1203 0

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續(xù)未來

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達(dá)州奧蘭多橘郡會議中心 【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...

2023-03-14 標(biāo)簽：電源氮化鎵HEMT 1251 0

納微半導(dǎo)體2022年第四季度及全年財報亮眼 2022年收入增長60%

1 2022年收入增長60%。 2 納微藉技術(shù)、終端市場、地域多樣化形成規(guī)模優(yōu)勢。 3 取代功率半導(dǎo)體器件中的傳統(tǒng)硅應(yīng)用；實(shí)現(xiàn)新增長市場電氣化。 下一代...

2023-03-10 標(biāo)簽：氮化鎵充電樁碳化硅 1902 0

氮化鎵市場，中國扮演重要角色

借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性價比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...

2023-03-10 標(biāo)簽：功率氮化鎵GaN 1685 0

氮化鎵構(gòu)建新引擎，UE智能插座制勝新賽道

近年來，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進(jìn)智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間，氮化鎵智能插...

2023-03-08 標(biāo)簽：電源充電器氮化鎵 865 0

UE Electronic即將推出新型氮化鎵智能插座，全方位展現(xiàn)品質(zhì)高端、時尚性能

人們消費(fèi)需求追求個性化、多樣化、品質(zhì)化，“品質(zhì)+時尚”的消費(fèi)日益走俏，消費(fèi)場景更加多元，智能插座市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，新型智能插座將掀起消費(fèi)升級的浪潮。UE...

2023-03-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵智能插座 827 0

氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)代理

近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署...

2023-03-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動芯片 1695 0

中瓷電子購買博威公司/國聯(lián)萬眾股權(quán)獲深交所受理

據(jù)悉，本次募集配套資金擬在支付本次重組相關(guān)費(fèi)用后投入氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測...

2023-03-06 標(biāo)簽：核心芯片氮化鎵射頻芯片 1014 0

安世半導(dǎo)體再獲功率器件行業(yè)大獎！

由世紀(jì)電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會評選中，Nexper...

2023-03-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1218 0