碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵的區(qū)別在哪里？

硅基氮化鎵是第三代半導體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...

2023-02-12 標簽：射頻氮化鎵碳化硅 2557 0

氮化鎵對新能源汽車有什么影響

氮化鎵（GaN）作為現(xiàn)在重要的第三代半導體材料，具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，能夠...

2023-02-10 標簽：新能源氮化鎵電池 1250 0

南芯科技推出PD3.1 140W單口/多口快充解決方案

USB PD3.1 能夠迅速商業(yè)化，離不開蘋果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋果發(fā)布的16 英寸MacBook Pro，成為全球首款支持US...

2023-02-09 標簽：usb氮化鎵 2952 0

氮化鎵前景怎么樣啊 氮化鎵用途有哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...

2023-02-06 標簽：功率器件氮化鎵射頻器件 3446 0

納微關于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權76件，除去世界知識產權局WO的8件PCT專利之外，其授權率高達約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

2023-02-06 標簽：氮化鎵功率芯片 862 0

氮化鎵充電器的主要優(yōu)點和缺點

　　第三代半導體具有較高的熱導率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛(wèi)星、汽車、雷達、工業(yè)、...

2023-02-05 標簽：電源半導體氮化鎵 2.1萬 0

氮化鎵對比普通充電器有哪些優(yōu)勢

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結...

2023-02-05 標簽：半導體發(fā)光二極管激光二極管 2443 0

氮化鎵的性質與穩(wěn)定性以及應用領域

氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標簽：半導體材料氮化鎵寬禁帶 2591 0

碳化硅與氮化鎵器件的特點差異

　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

2023-02-05 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 2044 0

氮化鎵芯片市場份額分析 氮化鎵（GaN）半導體器件分類

中國氮化鎵芯片市場占據全球約 %的市場份額，為全球最主要的消費市場之一，且增速高于全球。2021年市場規(guī)模約 億元，2017-2021年年復合增長率約為 %。

2023-02-05 標簽：功率器件氮化鎵 4622 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別 氮化鎵芯片國內三巨頭

氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導體更強。

2023-02-05 標簽：功率器件氮化鎵開關器件 2.4萬 0

碳化硅與氮化鎵器件的應用優(yōu)勢

　　幾十年來，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復合半導體已經開發(fā)出來，具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的財產。例如，利用化合物半導體，開發(fā)了...

2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵碳化硅 698 0

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm， Inc...

2023-02-03 標簽：場效應管FET氮化鎵 2499 0

氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀

氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當前發(fā)展最成款的競禁帶半導體材料，世界各國對氮化鎵的研究重視，美歐日等不僅從國家層面上制定了相應的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大...

2023-02-03 標簽：氮化鎵 1552 0