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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
國星光電旗下風(fēng)華芯電推出D-mode氮化鎵半橋模塊
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，氮化鎵功率器件因在效率、頻率、體積等綜合方面優(yōu)勢顯著，在快充等消費(fèi)電子市場實(shí)現(xiàn)率先放量，并在國內(nèi)外主流手機(jī)廠商布局的推動(dòng)下，滲透率持續(xù)提升。
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片YINLIANBAOU872XAH1恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片包含了U8722AH、U8723AH、U...
據(jù)外媒報(bào)道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該...
羅姆與臺(tái)積公司攜手合作開發(fā)車載氮化鎵功率器件
近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)與Taiwan Semiconductor Manufacturing Com...
2024-12-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件氮化鎵 859 0
兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班10月上海開班
來源：內(nèi)容來自中國電源學(xué)會(huì)01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國電源學(xué)會(huì)承辦單位：中國電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨...
2024-09-04 標(biāo)簽：電力電子氮化鎵半導(dǎo)體器件 859 0
一種高能效、高可靠性氮化鎵芯片進(jìn)入電子領(lǐng)域
作為氮化鎵快充控制器國產(chǎn)化的先行者，KeepTops率先實(shí)現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產(chǎn)集成GaN直驅(qū)的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可，現(xiàn)已推...
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺...
寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義
長期以來，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開發(fā)出來，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兝昧酥匾?..
2022-09-11 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 854 0
雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域?？紤]到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...
2023-11-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 854 0
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容。
近日，美國芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功...
2024-10-29 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 852 0
芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)...
2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 851 0
蘇州高新區(qū)新添三大總部項(xiàng)目，覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)
國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，以此一設(shè)備平臺(tái)滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。
2024-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 850 0
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定...
SuperTank Pro雙十一斬獲亮眼成績！征拓100W產(chǎn)品戰(zhàn)略大獲成功
SuperTank系列接連兩款產(chǎn)品傲視群雄，亮眼成績證明，Zendure征拓有搶占高性能移動(dòng)電源市場的制勝邏輯。
電力電子行業(yè)專家領(lǐng)導(dǎo)齊聚蘇州，共話行業(yè)發(fā)展新方向
由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站將于10月25-26號(hào)蘇州會(huì)議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站...
關(guān)于氮化鎵功率器件的產(chǎn)品預(yù)覽
在PD快充領(lǐng)域推出了DFN系列產(chǎn)品，在電源適配器領(lǐng)域推出了TO系列產(chǎn)品，在工業(yè)領(lǐng)域則針對(duì)高頻與高可靠性的需求，推出了PIIP系列產(chǎn)品。
2023-02-28 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 844 0
據(jù)晶湛半導(dǎo)體消息，晶湛半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術(shù)開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
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