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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首份氮化鎵可持續(xù)發(fā)展報告
今年2月,納微半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報告。報告指出,每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放,GaN有望節(jié)省高達 2...
GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮,預(yù)估2030年市場規(guī)模將突破43億美元
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加,氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點。近期,英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術(shù)的投入不斷加...
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布,雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮...
2024-05-23 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 894 0
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案,采用獲得專利的ACF拓撲,滿足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
發(fā)貨量超75,000,000顆!納微半導(dǎo)體創(chuàng)氮化鎵功率器件出貨“芯”高峰
下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者創(chuàng)下行業(yè)新里程碑,全面進軍電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能、家用電器、工業(yè)和移動快充領(lǐng)域,該市場潛力達每年130億美元。 美國加利福尼亞...
2023-03-28 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 894 0
Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今天宣布達成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN...
基于PI InnoSwitch3-AQ INN3949CQ 之 60W 于800Vdc Bus with 50-1000Vdc Input方案
PowerIntegrations(NASDAQ:POWI)這家節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的高壓積體電路(IC)的領(lǐng)導(dǎo)廠商今日宣布為該公司的InnoSwitch...
鑫谷將重磅發(fā)布全新昆侖電源概念版 引入氮化鎵半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)有望沖擊95%的超高轉(zhuǎn)換效率
臺北的五月皎陽似火,滾滾熱浪將肉眼可見的光線變得彎曲漲裂,如置身于鳳凰涅槃的火海。而更讓人心潮激蕩的是,COMPUTEX TAIPEI臺北國際電腦展將在...
新型寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品的設(shè)計優(yōu)勢——第一部分
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料,品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個部分的博客系列中,我將討論這些新型...
1月8日消息,日本豐田合成株式會社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (Ga...
電動工具圓桌論壇將匯聚電機控制、快速充電、鋰電技術(shù)一眾廠商和專家,共同探討電動工具技術(shù)創(chuàng)新與市場發(fā)展。 由嗶哥嗶特商務(wù)網(wǎng)主辦,《半導(dǎo)體器件應(yīng)用》雜志承辦...
該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中,輸出功率值為全球最高,在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。
2023-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵金剛石功率半導(dǎo)體 879 0
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用,已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
飛宏新推出的適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布,全球電源產(chǎn)品和電動...
2022-07-29 標(biāo)簽:適配器氮化鎵Transphorm 877 0
創(chuàng)新技術(shù)推動快速部署新型 5G 產(chǎn)品
5G 產(chǎn)業(yè)潛力巨大,但行業(yè)如何才能克服成本、功耗與性能等相關(guān)挑戰(zhàn),確保 5G 在第二次浪潮中大獲成功?
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實現(xiàn)高效輸出
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。創(chuàng)...
近年來,身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵,成為推動充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量,促進智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間,氮化鎵智能插...
納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)
在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日...
2024-05-30 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 869 0
Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltr...
2024-04-25 標(biāo)簽:SiP氮化鎵Transphorm 869 0
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