漏極和源極如何區(qū)分

在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結(jié)。把兩個P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），...

2019-12-30 標(biāo)簽：源極漏極 11.1萬 0

PMOS管的工作原理

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。全稱：positive channel Metal Oxide Semiconductor...

2023-02-21 標(biāo)簽：MOS管工作原理源極 5.0萬 0

源極跟隨器的特點(diǎn)_源極跟隨器的電路

與雙極型晶體管（三極管）的射極跟隨器相比，源極跟隨器的輸出阻抗非常低，特別適合于電動機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載（阻抗低的負(fù)載）的驅(qū)動，同時MOSFET普遍功率比...

2019-12-30 標(biāo)簽：跟隨器源極 3.4萬 1

場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用？

三極管工作時，兩個pn結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個過程需要...

2019-06-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)管源極漏極 2.3萬 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MO...

2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器MOS管柵極 1.5萬 0

MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽：元器件MOS管柵極 1.4萬 0

電路中VCC、VDD、VEE和VSS的區(qū)別

畫電路板的小伙伴可能經(jīng)常遇到各種標(biāo)號，今天就來分享一下電源相關(guān)標(biāo)號的內(nèi)容。

2023-05-25 標(biāo)簽：場效應(yīng)管電路板電源電壓 1.4萬 0

FET場效應(yīng)晶體管掃盲

一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場...

2020-03-23 標(biāo)簽：晶體管FET源極 1.3萬 0

華為公開“半導(dǎo)體器件”專利：提升場效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動能力

根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位...

2023-10-11 標(biāo)簽：晶體管源極半導(dǎo)體元件 1206 0

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有驅(qū)動器源極引腳的封裝

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?目前ROHM有驅(qū)動器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器封裝 1138 0

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時

2023-12-05 標(biāo)簽：柵極源極功率開關(guān)器件 727 0