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標簽 > 漏極電流
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泰克科技無需鉗位電路實現(xiàn)動態(tài)導通電阻RDS(on)的測量技術(shù)
動態(tài)導通電阻(RDS(on))是電源轉(zhuǎn)換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數(shù)。然而,關(guān)于其測量技術(shù)的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量...
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種廣泛使用的半導體器件,它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成:源極(S...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)的連續(xù)漏極電...
JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導,而在 MOSFET 中,導電性是由于嵌入在半...
2024-05-08 標簽:場效應管JFET并聯(lián)電容 1.3萬 0
辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域,MOSFET的導通損耗與動態(tài)響應直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),...
在無線通信領(lǐng)域,射頻放大器是實現(xiàn)信號放大的關(guān)鍵組件。隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,對射頻放大器的性能要求也越來越高。MO管因其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電氣特性,在射...
功率 MOSFET 最常用于開關(guān)模式應用中,它們用作開關(guān)。然而,在 SMPS 中的啟動電路、浪涌和高壓保護、反極性保護或固態(tài)繼電器等應用中,功率 MOS...
2022-09-11 標簽:MOSFET固態(tài)繼電器柵極電壓 1.1萬 0
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