砷化鎵概念股有哪些？ 砷化鎵概念股一覽

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于...

2018-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料砷化鎵 4.3萬 0

砷化鎵太陽能電池的優(yōu)劣

太陽能光伏發(fā)電在全球取得長(zhǎng)足發(fā)展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池，然而由于原材料多晶硅的供應(yīng)能力有限，加上國(guó)際炒家的炒作，導(dǎo)致國(guó)際市場(chǎng)上多晶硅價(jià)格...

2018-03-01 標(biāo)簽：砷化鎵 2.7萬 0

氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點(diǎn)分析

　氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。

2023-02-20 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵砷化鎵 2.7萬 0

砷化鎵芯片和硅芯片區(qū)別 砷化鎵芯片的襯底是什么

　砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線...

2023-02-20 標(biāo)簽：電路板電子元件砷化鎵 9929 0

為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...

2023-07-03 標(biāo)簽：光電器件功率器件砷化鎵 9929 0

砷化鎵（GaAs）芯片和硅（Si）芯片的區(qū)別

砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長(zhǎng)技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡(jiǎn)單，可以使...

2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路光電器件砷化鎵 9464 0

砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點(diǎn)分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 7885 0

氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)

之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...

2022-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaAs砷化鎵 5665 0

氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)

氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二...

2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 5133 0

LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個(gè)小知識(shí)

雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成，256級(jí)灰度的雙基色顯示屏可顯示65，536種顏色（雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色）。全彩色LED顯示屏由紅...

2023-04-11 標(biāo)簽：led氮化鎵GaN 4828 0

GaAs基激光器的減薄和拋光問題

激光器都是在外延的基礎(chǔ)上做出芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要對(duì)晶圓進(jìn)行減薄，厚度有做到80um的，...

2022-07-15 標(biāo)簽：激光器GaAs砷化鎵 3427 0

砷化鎵的應(yīng)用及技術(shù)工藝

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率...

2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 3196 0

基于砷化鎵光電導(dǎo)天線陣列的脈沖THz波全息探測(cè)器

太赫茲（Terahertz，THz）是指頻率在0.1THz到10THz之間的電磁波，這個(gè)區(qū)間覆蓋了紅外和微波光譜范圍之間的電磁波譜部分。

2022-08-30 標(biāo)簽：探測(cè)器電磁波砷化鎵 2630 0

淺談激光的發(fā)展歷史 激光在發(fā)展中的關(guān)鍵歷史節(jié)點(diǎn)

各種學(xué)科和技術(shù)應(yīng)用激光并形成了許多重要的交叉學(xué)科：如光電子學(xué)、激光光譜學(xué)、 激光化學(xué)、非線性光學(xué)、激光全息術(shù)、激光生物醫(yī)學(xué)、 激光計(jì)量、超快光電子學(xué)、激...

2023-02-24 標(biāo)簽：激光器砷化鎵 2605 0