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標(biāo)簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進步的又一個里程碑。
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摻雜C??/TaTm分子復(fù)合結(jié)實現(xiàn)22%效率鈣鈦礦/硅疊層電池:機理與性能研究
鈣鈦礦/硅串聯(lián)電池是突破硅單結(jié)效率極限(29.5%)的理想方案,但工業(yè)硅片表面粗糙性導(dǎo)致的漏電問題亟待解決。本研究提出一種新型復(fù)合結(jié)設(shè)計,利用n摻雜C?...
在關(guān)鍵尺寸的在線量測環(huán)節(jié),所運用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD(optical critical dimention,光學(xué)關(guān)鍵尺寸)量測設(shè)備。
降銀耗新技術(shù):銀包銅漿料的低成本、高可靠性與環(huán)境適應(yīng)性分析
研究背景HJT太陽電池因其高能量轉(zhuǎn)換效率、較少的制造工序、較低的制備溫度和更優(yōu)的溫度系數(shù)而受到廣泛關(guān)注。HJT太陽電池的低溫制備特性限制了漿料的選擇,導(dǎo)...
PFA過濾延展網(wǎng)在半導(dǎo)體硅片制備過程中的作用
PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐,解決濾膜在強力和高壓下的耐受力,延展網(wǎng)孔孔距不會受壓力變化而變距,在半導(dǎo)體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)...
在半導(dǎo)體制造過程中,硅片的封裝是至關(guān)重要的一環(huán)。封裝不僅保護著脆弱的芯片免受外界環(huán)境的損害,還提供了芯片與外部電路的連接通道。然而,封裝過程中硅片的翹曲...
硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析
硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要,特別是在現(xiàn)代集成電路制造中,如FinFET等先進器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下,硅片表面的微小不平整性對光刻結(jié)果...
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常,整個光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料,其分片過程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關(guān)重要。...
美國進口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例
上海伯東美國 KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應(yīng)用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離...
隧穿氧化物鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關(guān)注。然而,在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,電池會遇到繞鍍和邊緣漏電流的問題。這些現(xiàn)象會導(dǎo)致電池的光學(xué)和...
專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,簡稱ASIC)是一種針對特定應(yīng)用設(shè)計和制造的集成電路。與通...
2024-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料硅片數(shù)字信號處理器 671 0
分凝吸雜由雜質(zhì)的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域?qū)﹄s質(zhì)的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機制不同,分凝吸雜,吸雜區(qū)一般都在器件區(qū)的外邊。
2024-04-01 標(biāo)簽:硅片 1233 0
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機械拋光技術(shù)
最后的拋光步驟是進行化學(xué)蝕刻和機械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱為化學(xué)機械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個墊面的高...
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