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硅襯底

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硅襯底技術(shù)

國產(chǎn)襯底片的發(fā)展在雙極型集成電路制造中的應(yīng)用詳細資料概述

隨著國產(chǎn)襯底的生產(chǎn)工藝和控制能力的不斷提升，國產(chǎn)襯底的應(yīng)用也越來越廣。作者就國產(chǎn)襯底在雙極型集成電路制造中普遍關(guān)心的問題做了全面的評估，包括物理參數(shù)、電...

2018-04-22 標簽：硅襯底集成電路制造 1.1萬 0

硅襯底完敗藍寶石襯底，芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣？

芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍，而外圈...

2016-11-05 標簽：芯片硅襯底藍寶石襯底 6719 0

Fe和Cu污染對硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

在所有金屬污染物中，鐵和銅被認為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上，而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。...

2021-12-15 標簽：半導(dǎo)體硅片有機半導(dǎo)體 2721 0

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

引言研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕，并用D2400剪切測試儀測量界面...

2021-12-27 標簽：聚合物晶片光子器件 1711 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合，以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內(nèi)部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標簽：晶片硅片鍵合 1428 0

晶能光電：硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用?；诠枰r底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進行工程化...

2023-10-13 標簽：GaN 硅襯底晶能光電 895 0

Ni/P電鍍對具有不同n型發(fā)射極的晶體硅襯底的影響

我們?nèi)A林科納在這項工作中，研究了Ni/P電鍍對具有不同n型發(fā)射極的晶體硅襯底的影響，在不同的溫度和不同的電鍍持續(xù)時間下測試兩種不同的化學(xué)浴組合物，兩者都...

2022-05-07 標簽：晶體電鍍硅襯底 827 0

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

一、碳化硅襯底的加工流程碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個關(guān)鍵工序。每一步都對最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。切割...

2024-12-25 標簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 559 0

優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法...

2024-12-27 標簽：半導(dǎo)體碳化硅硅襯底 468 0

用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機構(gòu)

一、碳化硅襯底TTV控制的重要性碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點厚度最高點與最低點之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本，以...

2024-12-26 標簽：碳化硅硅襯底半導(dǎo)體晶圓 465 0

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質(zhì)量...

2025-01-13 標簽：晶圓硅襯底碳化 394 0

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