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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會(huì)。只要存在對高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
硅是最常見的半導(dǎo)體材料,它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式,其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...
隨著光伏逆變器功率等級(jí)的不斷提高,光伏行業(yè)對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)硅器件,碳化硅功率器件能帶來更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗,從...
盡管目前純電動(dòng)汽車 (BEVs) 在整個(gè)市場中所占的份額相對較小[1],但預(yù)計(jì)在未來 5 至 10 年內(nèi),純電動(dòng)汽車 (BEVs) 將開始取代傳統(tǒng)動(dòng)力系...
2023-07-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車變頻器變速器 701 0
在電動(dòng)汽車的逆變器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代傳統(tǒng)的硅基逆變器時(shí),SiC 解決方案將帶來約 5-10% 的效率提升。
2023-07-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 7335 0
利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車...
TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討
去年,TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量,對于揭示碳化硅器件規(guī)格書遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能提供的碳化硅器件特性。
2023-07-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅TechInsights 1242 0
SiC相比傳統(tǒng)基于IGBT的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)勢
全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報(bào)告,到 2026 年,可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。
8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。
2023-07-05 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 479 0
森國科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體 新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括:電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)(OBC)、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(車載?DC/...
雜散電感對碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測試的影響
電感是導(dǎo)體的一種特性,會(huì)阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會(huì)消耗電能,而是以磁場/電磁感應(yīng)的方式存儲(chǔ)釋放能量,以達(dá)到阻礙電流變化的目的。
2023-06-30 標(biāo)簽:功率器件動(dòng)態(tài)測試碳化硅 1688 0
1月5日,比亞迪發(fā)布會(huì)重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型:比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控,時(shí)隔2年,比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...
2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 948 0
SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能,相比于前兩代半導(dǎo)體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn),...
碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 標(biāo)簽:新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 4579 0
新能源汽車的加速性能與動(dòng)力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關(guān),碳化硅(SiC)技術(shù)允許驅(qū)動(dòng)電機(jī)在低轉(zhuǎn)速時(shí)承受更大輸入功率,且不怕電流過大導(dǎo)致的熱效應(yīng)和...
2023-06-27 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)器SiC 2932 0
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