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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
交流充電樁:本質(zhì)是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡單,需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...
進(jìn)入90年代以后,第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn),使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初,碳化硅,氮化鎵等具有寬禁帶的第...
2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3063 0
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動力系統(tǒng),以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
碳化硅的應(yīng)用越來越廣泛,而現(xiàn)在科技市場的大力發(fā)展,碳化硅的功勞也是不容小覷,碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說是比較廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種,那么碳化硅用途主要有哪些...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...
2023-02-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2086 0
氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...
襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵,占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高,而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說前幾年很多SiC器件廠商都是靠...
碳化硅功率器件在車載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用2
OBC作為新能源汽車的核心部件之一,其效率、功率密度等參數(shù)對新能源汽車充電時間和續(xù)航里程具有一定影響。 在保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性的前提下,更高的功...
碳化硅功率器件在車載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用1
隨著新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步,提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一。 在動力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下,降低車用部件重量是提...
碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn),可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境,可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...
2023-02-03 標(biāo)簽:逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 730 0
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