中國SiC碳化硅器件行業(yè)技術(shù)情況研究報告

導讀：自1824年J.J.Berzelius首次發(fā)現(xiàn)SiC材料后，至今已200年歷史。但是SiC材料走出實驗室始于CREE（現(xiàn)Wolfspeed）開展SiC商用生產(chǎn)線，SiC材料呈現(xiàn)加速成長趨勢。未來隨著碳化硅器件在新能源汽車、能源、工業(yè)、通訊等領域滲透率提升，碳化硅器件市場規(guī)模有望持續(xù)提升，2027年全球碳化硅器件市場規(guī)模有望超過80億美元。

編輯：黃飛

閱讀全文

SiC(61351) SiC(61351)
碳化硅(47293) 碳化硅(47293)

碳化硅 (SiC)的歷史與應用

碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。

2023-09-08 15:24:02

887

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC

2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

　　碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料

2020-09-24 16:22:14

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管

2016-11-04 15:50:11

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？

與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？

2021-07-12 08:07:35

Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究

Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化

2009-10-06 09:48:48

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

器件的特點　　碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。　　它與硅半導體材料

2019-01-11 13:42:03

碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設備

2023-04-11 15:29:18

碳化硅SiC技術(shù)導入應用的最大痛點

更新?lián)Q代，SiC并不例外　　新一代半導體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓

2023-02-27 14:28:47

碳化硅器件是如何組成逆變器的？

進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。

2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點

2021-03-16 08:00:04

碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅(qū)動碳化硅場效應管？

充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意

2023-02-24 15:03:59

碳化硅二極管選型表

應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs

2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導體器件有哪些？

　　由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管

2020-06-28 17:30:27

碳化硅基板——三代半導體的領軍者

超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元

2021-01-12 11:48:45

碳化硅如何改進開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設計？

　　在設計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇?！　≡谠O計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V

2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常

2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年

2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？

2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進解析

，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示。　　圖（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比　　在硅基半導體器件性能已經(jīng)進入瓶頸期時，碳化硅材料

2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快

2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手

二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬

2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么

2020-03-05 09:30:32

【直播邀請】羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用

）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018

2018-07-27 17:20:31

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究

和學習，現(xiàn)申請此開發(fā)板。項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究計劃：研究碳化硅功率器件的開關(guān)行為；研究碳化硅功率器件熱阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)中的驅(qū)動技術(shù)。預計成果：以上研究及測試總結(jié)報告

2020-04-21 16:04:04

【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應用

前言 碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領域，在

2023-10-07 10:12:26

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？

2021-06-18 08:32:43

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比

無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先

2022-03-29 10:58:06

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身

2021-09-23 15:02:11

你知道為飛機電源管理提供解決方案的碳化硅嗎？

，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下

2022-06-13 11:27:24

創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6

2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣？

降低到75%?！　　　”?2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究　　只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設計取代耗時的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此，可以提高性價比，并充分利用SiC的優(yōu)勢，使應用受益。

2023-02-20 16:29:54

國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)

國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路

2022-06-20 16:31:07

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用

的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?！　≡?b class="flag-6" style="color: red">器件將傳統(tǒng)

2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

技術(shù)需求的雙重作用，導致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET）。它們能夠提供設計人

2023-03-14 14:05:02

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。

2018-08-27 13:47:31

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)

2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！

2016-10-19 10:45:41

來自北京清華大學和韓國延世大學，掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)

一體的高科技企業(yè)，產(chǎn)品研發(fā)骨干來自北京清華大學和韓國延世大學，掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)。再加上薩科微總經(jīng)理宋仕強先生深耕華強北多年，深度了解華強北的商業(yè)模式，薩科微slkor的多年積累，為現(xiàn)階段快速

2023-02-21 09:24:40

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)

2019-09-17 09:05:05

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

　　硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下

2023-02-27 16:03:36

被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點

°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田

2023-02-20 15:15:50

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅

2022-08-31 16:29:50

碳化硅(SiC)基地知識

碳化硅(SiC)基地知識 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料

2009-11-17 09:41:49

1240

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅

Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅（SiC）：歷史與應用

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用

2017-05-06 11:32:45

【大神課堂】碳化硅 (SiC)：歷史與應用

2018-04-11 11:37:00

4934

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應用？

碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant

2022-08-03 17:07:35

1383

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面？碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領域。近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前

2023-01-13 11:16:44

1230

碳化硅原理是什么

，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使

2023-02-02 14:50:02

1981

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率，同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它們也并非都是一樣的。為了實現(xiàn)碳化硅技

2023-02-02 15:10:00

467

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 16:23:44

20965

碳化硅技術(shù)標準_碳化硅工藝

高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。

2023-02-03 16:11:35

2997

功率半導體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率

2023-02-15 16:03:44

sic碳化硅電機

sic碳化硅電機 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運行，被公認為將推動新能源汽車領域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強國和大型跨國公司紛紛投入了大量的人力物力，特斯拉等國外車企開發(fā)的SiC電機

2023-02-17 14:10:17

1499

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅

2023-02-21 10:04:11

1693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管

2023-02-21 10:16:47

2090

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。在眾多半導體器件中，碳化硅材料具有低熱

2023-03-03 14:18:56

4079

6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.5.2氧化

2022-01-17 09:18:16

613

6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)

2022-01-21 09:37:00

736

6.3.5.1 界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.4.8其他

2022-01-12 10:00:29

744

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)

2022-01-21 09:35:56

706

6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢6.3.4電學表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)

2022-01-07 11:49:21

725

6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.5總結(jié)第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC

2022-01-27 09:16:44

861

6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.5.3界面

2022-01-18 09:28:24

662

6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.5.1界面

2022-01-13 11:21:29

631

6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件

2022-01-04 14:11:56

775

6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理

2022-01-24 14:08:51

807

7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.5總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件

2022-02-07 16:12:08

568

6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.4.5高低頻方法

2022-01-10 14:04:39

631

6.3.4.7 電導法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.7電導法6.3.4電學表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.4.6C-Ψs方法

2022-01-12 10:44:27

394

7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長

2022-02-07 15:01:28

396

6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)

2022-01-24 10:22:28

480

6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.3熱氧化氧化硅

2022-01-05 13:59:37

493

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)

2022-01-24 10:09:12

1034

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)

2022-01-25 09:18:08

743

6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.4.1SiC

2022-01-07 14:24:25

420

5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.3.2載流子壽命“殺手

2022-01-06 09:38:25

510

5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅

2022-01-06 09:37:40

535

5.3.1.2 雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.1.2雜質(zhì)5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)

2022-01-06 09:30:23

552

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能

2022-01-06 09:27:16

693

6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸

2022-01-26 10:08:16

636

5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2

2022-01-06 09:25:55

621

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。

2023-06-28 09:58:09

2319

碳化硅功率器件：革命性的封裝技術(shù)揭秘

碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)。

2023-08-15 09:52:11

701

碳化硅SiC功率器件，全球市場總體規(guī)模，前三十大廠商排名及市場份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。

2023-09-08 11:30:45

1806

碳化硅器件在UPS中的應用研究

碳化硅器件在UPS中的應用研究

2023-11-29 16:39:00

240

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。

2023-12-12 09:47:33

456

碳化硅功率器件的原理和應用

隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經(jīng)廣泛應用于能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。

2023-12-16 10:29:20

360