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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu),帶來了諸多優(yōu)勢:首先,“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離,減小了寄生電容,開關(guān)頻率得以提高。
國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢
碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
純SiC晶體是通過Lely升華技術(shù)生長的。晶體主要是6H-SiC,但包括其它多型體。1978年,Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶...
基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細闡述了碳化硅三...
使用物理氣相傳輸法(PVT)制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...
寬禁帶半導(dǎo)體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)
寬禁帶半導(dǎo)體,指的是價帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大,決定了電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 標簽:碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.4k 0
意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓,將用于功率器件原型設(shè)計
碳化硅(SiC)晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中,這一事實預(yù)示著這種寬帶隙(WBG)材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書,適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。
2022-12-15 標簽:電動汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0
一旦硅開始達不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
到20世紀中葉,電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機實現(xiàn)的制冷,...
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì),以改變其電學(xué)性能的方法,可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。
2022-11-30 標簽:制造功率半導(dǎo)體碳化硅 3.2k 0
在過去幾年中,半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān),并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關(guān)損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
硅功率器件已經(jīng)達到了它們的材料極限,已經(jīng)達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而,它們距離充分發(fā)揮...
碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用!
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(擊穿場)和帶隙...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一,具有獨特的材料性能。例如,它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...
二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點,如:碳化硅的禁...
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