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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2909個(gè) 瀏覽：52384次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅是由分子還是原子組成的？

      碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      2023-02-12 標(biāo)簽：SiC碳化硅 5.8k 0

      碳化硅MOSFET概述、特性及應(yīng)用

      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：二極管MOSFET濾波器 4.2k 0

      淺談電動(dòng)汽車中的碳化硅應(yīng)用

      隨著技術(shù)的發(fā)展，電動(dòng)汽車對電力電子功率驅(qū)動(dòng)等系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等，但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制，其各方面的特性...

      2023-02-12 標(biāo)簽：變換器驅(qū)動(dòng)碳化硅 1.8k 0

      小編科普一下碳化硅的理化性質(zhì)

      碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...

      2023-02-12 標(biāo)簽：SiC碳化硅電熱元件 3.3k 0

      碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

      碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

      　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，單元...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETSiC氮化鎵 7k 0

      碳化硅MOSFET對比硅IGBT的優(yōu)勢

      碳化硅MOSFET對比硅IGBT的優(yōu)勢

      　　開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT開關(guān)器件 3.2k 0

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 4.7k 0

      為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.3k 0

      碳化硅二極管是什么意思 碳化硅二極管如何測量好壞

      　　碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...

      2023-02-10 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體開關(guān)電源 3.9k 0

      碳化硅二極管的區(qū)別和用途

      碳化硅二極管的區(qū)別和用途

      隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.6k 0

      惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

      近年來，隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件封測設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要，國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

      2023-02-10 標(biāo)簽：電力電子功率器件碳化硅 1k 0

      什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

      碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiCCMP 4k 0

      氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)

      氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)

      　　氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...

      2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 7.8k 0

      碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

      碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

      今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...

      2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 982 0

      聊一聊碳化硅的下一波的制造、供應(yīng)鏈和成本

      　毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：好的。所以今天，我們就來聊聊SiC，下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。

      2023-02-09 標(biāo)簽：碳化硅 1.3k 0

      SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢

      碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

      2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1.6k 0

      碳化硅二極管的特點(diǎn)

      碳化硅二極管的特點(diǎn)

      碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對電源開關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管散熱器碳化硅 1.4k 0

      大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

      大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

      由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料...

      2023-02-09 標(biāo)簽：電場碳化硅大功率器件 1.1k 0

      碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)

      碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

      碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

      碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

      　　碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒有...

      2023-02-08 標(biāo)簽：二極管功率二極管電流 4.2k 0

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      • Arduino
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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        +關(guān)注
        TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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