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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2774個(gè) 瀏覽：51738次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

      碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

      今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...

      2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 910 0

      聊一聊碳化硅的下一波的制造、供應(yīng)鏈和成本

      　毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：好的。所以今天，我們就來聊聊SiC，下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。

      2023-02-09 標(biāo)簽：碳化硅 1.3k 0

      SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢

      碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

      2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1.5k 0

      碳化硅二極管的特點(diǎn)

      碳化硅二極管的特點(diǎn)

      碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對電源開關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管散熱器碳化硅 1.3k 0

      大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

      大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

      由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料...

      2023-02-09 標(biāo)簽：電場碳化硅大功率器件 1.1k 0

      碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)

      碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

      碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

      碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

      　　碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒有...

      2023-02-08 標(biāo)簽：二極管功率二極管電流 3.9k 0

      碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

      　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

      2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.3k 0

      在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢？

      碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

      2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.9k 0

      SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

      SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

      1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.5k 0

      SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

      1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.4k 0

      SiC的物性和特征

      SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2k 0

      800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

      厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET功率模塊碳化硅 1.6k 0

      基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

      交流充電樁：本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡單，需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET充電樁碳化硅 3.1k 0

      氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

      進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

      2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.4k 0

      碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

      　　碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

      2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 9.8k 0

      什么是電力電子？為什么碳化硅對電力電子很重要？

      碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)（包括太陽的,燙的和風(fēng)力）、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng)，以及電動(dòng)火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。

      2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET電力電子SiC 1.9k 0

      碳化硅二極管的應(yīng)用

      碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

      2023-02-05 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 2.2k 0

      碳化硅用途主要有哪些方面

      碳化硅的應(yīng)用越來越廣泛，而現(xiàn)在科技市場的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說是比較廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種，那么碳化硅用途主要有哪些...

      2023-02-05 標(biāo)簽：SiC碳化硅 1.7萬 0

      碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

      以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

      2023-02-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.7k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
      線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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      電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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