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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 4.5k 0

中科院物理研究所探索用一種新的方法生長碳化硅晶體

碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳...

2023-01-31 標簽：碳化硅 951 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優(yōu)點，可以實現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...

2023-01-31 標簽：半導體電力系統(tǒng)功率器件 3.7k 0

高功率半導體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)研究

摘要：近些年，在市場應(yīng)用驅(qū)動下，半導體激光器的輸出功率越來越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對半導體激光器的熱管理提出了更高的...

2023-01-30 標簽：半導體激光器封裝 3.5k 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。

2023-01-17 標簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 1.3k 1

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢和使用場景

碳化硅(SiC) 是第三代半導體，相較于前兩代半導體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...

2023-01-16 標簽：SiC 碳化硅 1.1k 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

摘要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標簽：單晶襯底加工技術(shù) 2.6k 0

淺談電驅(qū)系統(tǒng)的演進路線及最核心技術(shù)

在電驅(qū)最重要的“動力”屬性上，目前大多數(shù)的電車都存在動力過?，F(xiàn)象，以36w+的特斯拉 Model3P 為例，加速可以秒掉200w左右的性能油車，3w的宏...

2023-01-10 標簽：電機控制減速器碳化硅 2.4k 0

全電飛機航空電子系統(tǒng)的設(shè)計方案解析

SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關(guān)頻率得以提高。

2023-01-10 標簽：電機驅(qū)動 SiC 碳化硅 3.9k 0

國內(nèi)SiC半導體產(chǎn)業(yè)化進展 sic半導體技術(shù)發(fā)展趨勢

碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分，分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。海外以IDM為主要...

2022-12-28 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 517 0

高效SiC功率器件的演進

純SiC晶體是通過Lely升華技術(shù)生長的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶...

2022-12-28 標簽：電動汽車混合動力汽車晶體管 1.7k 0

碳化硅電驅(qū)動總成設(shè)計與測試

基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細闡述了碳化硅三...

2022-12-21 標簽：MOSFET IGBT 碳化硅 1.6k 0

8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標簽：半導體單晶 SiC 3.9k 0

寬禁帶半導體概述碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。

2022-12-19 標簽：碳化硅寬禁帶半導體 3.5k 0

意法半導體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓，將用于功率器件原型設(shè)計

碳化硅（SiC）晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中，這一事實預(yù)示著這種寬帶隙（WBG）材料作為顛覆性半導體技術(shù)的證書，適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。

2022-12-15 標簽：電動汽車意法半導體碳化硅 1.2k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 1.6萬 0

碳化硅功率模塊封裝中4個關(guān)鍵問題的分析與研究

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2022-12-12 標簽：MOSFET 封裝碳化硅 3.3k 0

功率晶體管的歷史和新興設(shè)計

到20世紀中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機實現(xiàn)的制冷，...

2022-12-08 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.7k 0

碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2022-12-02 標簽：半導體功率器件 SiC 1.8k 0

碳化硅器件制造那些事兒

離子注入是一種向半導體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

2022-11-30 標簽：制造功率半導體碳化硅 3.3k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。
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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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