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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

何謂碳化硅?

何謂碳化硅?

碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,了解一下它的物理特性和特征。

2023-01-09 標(biāo)簽:SiC碳化硅 3109 0

Wolfspeed碳化硅器件賦能梅賽德斯-奔馳新一代電動(dòng)汽車平臺(tái)

Wolfspeed碳化硅器件賦能梅賽德斯-奔馳新一代電動(dòng)汽車平臺(tái)

2023年1月6日,美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市與中國(guó)上海市訊 — 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.(NYSE: WOLF)近...

2023-01-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車奔馳碳化硅 754 0

梅賽德斯-奔馳已與Wolfspeed建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

根據(jù) Wolfspeed 的說(shuō)法,梅賽德斯-奔馳作為“豪華車的領(lǐng)先供應(yīng)商”,了解對(duì)卓越性能的需求。梅賽德斯計(jì)劃使用自己的半導(dǎo)體“讓一些最高效的電動(dòng)汽車上...

2023-01-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 598 0

安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來(lái)領(lǐng)先業(yè)界的高能效

新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠、高能效的工作 來(lái)源:安森美 2023年1月4日— 領(lǐng)先于智能電源和智能感知...

2023-01-05 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 791 0

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...

2023-01-05 標(biāo)簽:晶圓功率器件碳化硅 1769 0

2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水

800V高壓平臺(tái)加速落地,2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高壓快充平臺(tái)為解決里程焦慮的破局者,國(guó)內(nèi)外車企從2021年起掀起一...

2023-01-04 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1272 0

碳化硅纖維的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與性能、用途

碳化硅長(zhǎng)絲的制造過(guò)程是將聚硅烷在400℃以上,發(fā)生熱轉(zhuǎn)位反應(yīng),使側(cè)鏈上的甲基以亞甲基的形式,導(dǎo)入主鏈的硅-硅間,形成聚碳硅烷,然后通過(guò)干法紡絲或熔體紡絲...

2023-01-04 標(biāo)簽:纖維SiC碳化硅 2754 0

中國(guó)半導(dǎo)體的三大“潛力股”

雖然存在差距,但在科技競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下,考慮到國(guó)家安全,在通信、金融、電子政務(wù)等關(guān)鍵領(lǐng)域,中國(guó)大陸正在加速推進(jìn)CPU等核心芯片的國(guó)產(chǎn)化替代。

2023-01-04 標(biāo)簽:cpu碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 1252 0

半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過(guò)冰墩墩

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2022-12-30 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體SiC 1099 0

RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用

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碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)...

2022-12-30 標(biāo)簽:二極管MOS管光伏逆變器 1218 0

使用碳化硅MOSFET實(shí)現(xiàn)快速直流充電器

使用碳化硅MOSFET實(shí)現(xiàn)快速直流充電器

世界各國(guó)政府都在推動(dòng)私家車和商用車車主轉(zhuǎn)向更環(huán)保的替代品,例如電動(dòng)汽車 (EV)。但是,進(jìn)行此更改的最大障礙之一是車輛續(xù)航里程問(wèn)題。大多數(shù)中低檔 EV ...

2022-12-30 標(biāo)簽:MOSFET充電器碳化硅 1283 0

青銅劍技術(shù)碳化硅MOSFET模塊驅(qū)動(dòng)器2CP0335V33-LV100概述

碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性,發(fā)展勢(shì)頭迅猛?;谔蓟杼匦裕蓟栩?qū)動(dòng)器相較于硅器件驅(qū)動(dòng)器有其特殊要求,面臨不同的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)...

2022-12-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1633 0

多家產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資,瞻芯電子完成數(shù)億元Pre-B輪融資

上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”)宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資,本輪融資由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本(上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺(tái))...

2022-12-23 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 1430 0

又一碳化硅功率模塊即將量產(chǎn)!

據(jù)了解,東風(fēng)汽車總投資 2.8 億元的功率模塊二期項(xiàng)目目前正在加速推進(jìn)中。據(jù)悉,該項(xiàng)目一方面優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)線,提高 IGBT 模塊產(chǎn)量,另一方面開辟兩條全新...

2022-12-22 標(biāo)簽:功率器件功率模塊碳化硅 916 0

意法半導(dǎo)體(ST)推出五款新一代SiC MOSFET功率模組

相較于傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅元件尺寸更小,可以處理更高的工作電壓,還有更快的充電速度及卓越的車輛動(dòng)力性能。除此之外,碳化硅還能提升性能及可靠性并延長(zhǎng)...

2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET模組碳化硅 1728 0

碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試

摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了...

2022-12-21 標(biāo)簽:IGBT碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2472 0

碳化硅芯片的短缺至少要持續(xù)到2023年底

汽車芯片生產(chǎn)商英飛凌的首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 最近在慕尼黑的一次活動(dòng)中就供應(yīng)發(fā)出了類似的警告?!拔掖_實(shí)預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間的短缺,”他說(shuō)。

2022-12-21 標(biāo)簽:碳化硅 1954 0

碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試技術(shù)剖析

第二點(diǎn)是,得到的測(cè)試結(jié)果是否滿足需求,或者說(shuō)“測(cè)得對(duì)不對(duì)”,還沒(méi)有判定標(biāo)準(zhǔn)。這主要源自大部分工程師對(duì)碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性還不夠了解,不具備解讀測(cè)試結(jié)果的能力。

2022-12-21 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 990 0

2027年SiC晶圓需求量將達(dá)到110萬(wàn)片

Wolfspeed 材料高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 博士表示:“Wolfspeed 在碳化硅領(lǐng)域擁有無(wú)與倫比的經(jīng)驗(yàn)積累,從而在應(yīng)對(duì)快...

2022-12-21 標(biāo)簽:SiC碳化硅半導(dǎo)體芯片 848 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1

SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場(chǎng)上以選用WOLFSPEED公司的碳化硅為主,但由...

2022-12-20 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管碳化硅 2607 0

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