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?228億涌入國內(nèi)碳化硅賽道

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空間大 ? 國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴張上的投入越來越大。這使得國內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無論是從市場需求,還是
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碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點

更新?lián)Q代,SiC并不例外  新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段,有望進一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進步,未來還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
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碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

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碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達偵測
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碳化硅深層的特性

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硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進解析

  01  碳化硅材料特點及優(yōu)勢  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

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碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562元,同比增長15.77%。2020年H1,中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539元,同比增長16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代,都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
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CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
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TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠
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TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
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【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究

項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
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什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
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什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
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創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
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功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

  本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?! 》至⑵骷ㄈ?TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對于更強大和更
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嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
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在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運而生,如碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計人
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基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
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如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
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如何用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

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應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

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新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

新能源汽車市場火爆,碳化硅電路板事態(tài)也瘋狂

至351.1元,迎來三倍增量空間;至2025年隨著新能源汽車及自動駕駛的高速發(fā)展,有望打開2520市場空間。而到那時碳化硅電路板需求也將水漲船高,預(yù)計也有100的市場需求。
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淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
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電動汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
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被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
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請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
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107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

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2018-01-03 09:48:4821689

盤點國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些?國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析:英飛凌以1.39美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328

科銳宣布將投資10美元擴大碳化硅產(chǎn)能

隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場對碳化硅(SiC)的需求持續(xù)增長,國內(nèi)碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10美元擴大碳化硅產(chǎn)能。
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碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)值到2024年將達到19.3美元
2019-08-15 18:14:0311075

總結(jié)國內(nèi)國內(nèi)碳化硅行業(yè)的真實現(xiàn)狀

碳化硅粉:5N湊合,6N有問題;檢測體系不完善,大規(guī)模供應(yīng)這些近兩千臺爐子,年產(chǎn)幾百萬片的幾十個襯底項目,真把爐子都開起來,粉料奇缺!低于$100/kg的高質(zhì)量6N碳化硅粉料源,低成本技術(shù)方案,奇缺! 3. 碳化硅長晶/晶圓 - 4H導(dǎo)電,奇缺能上車的晶圓質(zhì)
2021-07-02 16:22:006817

碳化硅材料技術(shù)對器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動中
2021-11-29 14:54:089429

國內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國內(nèi)車企,在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國內(nèi)碳化硅車型上,我們用的碳化硅的量是國內(nèi)最多的,去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:133124

碳化硅電驅(qū)動總成設(shè)計與測試

摘 要 基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計方案
2022-12-21 14:05:032918

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會下降。
2023-02-03 09:31:236555

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165686

碳化硅技術(shù)標準_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:321748

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177

碳化硅與工業(yè)應(yīng)用的未來

首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:091468

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:201105

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612

碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200

碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200 在新能源汽車、充電樁、光伏發(fā)電、高壓輸電市場如火如荼之際,三安光電正持續(xù)加大投入;這次又是超200。 6月7日晚間,三安光電
2023-06-08 19:33:051848

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達139

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達139 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:011445

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢

隨著國內(nèi)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:492037

競爭激烈,碳化硅市場需求猛增

TechInsights最新電動汽車服務(wù)報告指出,碳化硅市場收益在2022年至2027年期間預(yù)計將以35%的復(fù)合年增長率從12美元增長至53美元。到2029年,碳化硅市場規(guī)模將增長至94美元,其中中國將占據(jù)半壁江山。 另一家分析機構(gòu)TrendForce也認為,汽車將主導(dǎo)碳化硅
2023-08-14 12:27:011351

碳化硅的性能和應(yīng)用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:0421116

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:366818

碳化硅賽道“涌動” ,國內(nèi)外巨頭抓緊布局

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要包括襯底、外延、器件設(shè)計、器件制造、封裝測試等。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看,碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲,其中美國是世界上最大的。
2023-12-04 16:29:321918

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233792

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:332699

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:494326

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121953

國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來多家SiC器件設(shè)計公司接連倒閉,國內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險,主要源于以下多維度原因: ? ? 1. 碳化硅二極管技術(shù)門檻低導(dǎo)致市場同質(zhì)化與價格戰(zhàn) 碳化硅二極管(如肖特基二極管)技術(shù)相對成熟,結(jié)構(gòu)簡單,進入門檻較低。國內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域,導(dǎo)致產(chǎn)能過剩
2025-02-28 10:34:31753

2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進展神速,同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可,簽下
2024-01-08 08:25:345166

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