Microchip擴展碳化硅（SiC）電源器件系列產(chǎn)品，助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率、尺寸和可靠性

基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關(guān)效率、減少溫升和縮小系統(tǒng)尺寸。

2020-03-19 標(biāo)簽：microchip電源器件碳化硅 1.2k 0

中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進口的尷

據(jù)青島日報報道，中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項目負(fù)責(zé)人張翠榮表示，將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖，以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進，確保本年9月份竣工投產(chǎn)。

2020-03-17 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 4k 0

中科鋼研青島集成電路制造項目將在9月竣工

中科鋼研在青島建有集成電路制造項目，該項目入選了2019年青島市重點項目。

2020-03-16 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 3.3k 0

江蘇超芯星天使輪融資完成，首創(chuàng)大尺寸擴徑技術(shù)

據(jù)江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)介紹，超芯星半導(dǎo)體于2019年4月落戶江蘇儀征經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)，致力于6英寸碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

2020-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

意法半導(dǎo)體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)

此次收購將大幅提高意法半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費級高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴大其開發(fā)計劃和業(yè)務(wù)。

2020-03-06 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.4k 0

CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

內(nèi)置的柵極驅(qū)動器包括3個板載隔離電源（每相1個），可提供每相高達(dá)5W的功率，從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。

2020-03-05 標(biāo)簽：電動汽車MOSFETCISSOID 1.8k 0

中國電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式 預(yù)計形成產(chǎn)值100億元

2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。

2020-03-02 標(biāo)簽：碳化硅中國電科 3.5k 0

中國電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地開始投產(chǎn)，年產(chǎn)值可達(dá)10億元

中國電科黨組書記、董事長熊群力指出，中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。

2020-03-02 標(biāo)簽：碳化硅 5.7k 0

碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點將在電動汽車領(lǐng)域

到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達(dá)到15億美元。

2020-03-01 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 973 0

集成電路訂單突破億級，2019年海特高新營業(yè)收入同比增加55.52%

海特高新發(fā)布2019年業(yè)績快報稱，公司實現(xiàn)營業(yè)收入80,187.88萬元，較上年同期增加55.52%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤7,549.26萬元，...

2020-02-29 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 4k 0

英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合

2020-02-26 標(biāo)簽：MOSFET不間斷電源碳化硅 1.7k 0

小米發(fā)布GaN充電器，2020年將是GaN的起飛之年

2月13日，小米舉辦的小米10線上發(fā)布會上，除了手機，還發(fā)布了一款氮化鎵功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋...

2020-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅小米 2.4萬 0

Littelfuse推出柵極驅(qū)動器評估平臺，協(xié)助設(shè)計師實現(xiàn)碳化硅節(jié)能

與大多數(shù)其他碳化硅評估平臺不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和...

2020-02-07 標(biāo)簽：Littelfuse柵極驅(qū)動器碳化硅 980 0

UnitedSiC推具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET器件

UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)...

2020-02-05 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 3.5k 0

羅姆下的SiCrystal公司與長期客戶ST簽訂碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議

意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。

2020-01-17 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0

CISSOID強勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅（SiC）功率模塊提供支持

CMT-TIT0697柵極驅(qū)動器板被設(shè)計為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2...

2020-01-15 標(biāo)簽：CISSOID柵極驅(qū)動器碳化硅 1.5k 0

新能源汽車市場化發(fā)展要把握好高密度IGBT和碳化硅器件

在萬物互聯(lián)的指引下，新能源汽車也駛向了“百年未來大變革”的道路上。

2020-01-13 標(biāo)簽：新能源汽車igbt碳化硅 3.2k 0

新型碳化硅IGBT器件，首次成功實現(xiàn)導(dǎo)通電流密度突破50A/cm2

當(dāng)前，碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管，MOSFET等器件并不能有效地滿足實際應(yīng)用需要，對IGBT器件的需求日益迫切，必須突...

2020-01-23 標(biāo)簽：電流igbt碳化硅 6.7k 0