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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅技術(shù)的硬核玩家,英飛凌用“芯”領(lǐng)航新能源時(shí)代
論壇以“Cool 芯領(lǐng)航 英華綻放”為主題,英飛凌科技高級(jí)總監(jiān)Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術(shù)布局”發(fā)表主旨演講,為整個(gè)大會(huì)拉開(kāi)...
碳化硅市場(chǎng)前景光明,國(guó)際市場(chǎng)強(qiáng)手林立,國(guó)內(nèi)玩家?jiàn)^起直追
由于SiC具有高耐壓、低損耗、高效率等特性,可以讓功率器件突破硅的限制,帶來(lái)更好的導(dǎo)電性和電力性能。
“創(chuàng)新從來(lái)都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上,未來(lái)還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻,還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...
大晶磊半導(dǎo)體最新研發(fā)的針對(duì)中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)解決方案
目前,大晶磊半導(dǎo)體可以為市場(chǎng)提供通過(guò)90kV BIL測(cè)試的碳化硅驅(qū)動(dòng)模塊。而且此驅(qū)動(dòng)模塊可以將碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率提升到500kHz,而耦合電容...
CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系達(dá)成合作 攜手推進(jìn)基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)
高溫與長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公司已與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡(jiǎn)稱電機(jī)系)達(dá)成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳...
2019-04-08 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)CISSOID清華大學(xué) 2k 0
CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)
CISSOID與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡(jiǎn)稱電機(jī)系)達(dá)成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術(shù)難題以...
使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)正在興起
如典型的寬禁帶SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可顯著降低運(yùn)行成本和...
2019-04-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0
Littelfuse推出兩款碳化硅肖特基二極管,提供最新的封裝尺寸
Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩款二極管,進(jìn)一步擴(kuò)大了其二代650V、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統(tǒng)的硅基器...
2019-03-27 標(biāo)簽:肖特基二極管Littelfuse碳化硅 1.6k 0
SiCMOSFET支持高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價(jià)比的高頻設(shè)計(jì),用于汽車(chē)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體,推出了兩款新的碳化...
2019-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 2.5k 0
TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護(hù)
新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能,同時(shí)還能提升汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。
世紀(jì)金光面向新能源汽車(chē)推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品
世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...
基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì),開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng),導(dǎo)通電阻小,閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...
2019-01-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件碳化硅 1.1萬(wàn) 0
比亞迪發(fā)布其車(chē)規(guī)級(jí)IGBT4.0技術(shù) 并斥巨資布局碳化硅
IGBT被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置“CPU”,今年迎來(lái)“缺貨潮”。數(shù)據(jù)顯示,2018年車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊的交貨周期已從正常8-12周延長(zhǎng)至最長(zhǎng)52周,業(yè)界預(yù)...
碳化硅(SiC)是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,目前國(guó)際上已經(jīng)量產(chǎn)碳化硅(SiC)器...
盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析
碳化硅概念股有哪些?碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些?國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤(pán)點(diǎn)分析:英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdS...
UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列,并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的...
半導(dǎo)體如何引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)革命?ST總裁兼CEO歸納四大路徑
11月8日,意法半導(dǎo)體總裁兼CEO Jean-Marc Chery先生在全球CEO峰會(huì)上表示,在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,我們的愿景是讓數(shù)十億智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互...
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品
今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是...
2018-10-23 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管Littelfuse 6.2k 0
未來(lái)功率元件會(huì)越來(lái)越依賴碳化硅?
低耗能、高效率與小型化,已經(jīng)成為電子產(chǎn)品發(fā)展的三大主流趨勢(shì)。只不過(guò),這三大課題偏偏卻正是最令研發(fā)人員頭疼的問(wèn)題。
相較于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模,主要的原因就出在...
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