高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者）開展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR
2022-06-23 10:23:58
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碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:023024 
CISSOID與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡稱電機(jī)系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢，并將大力支持在新能源汽車領(lǐng)域開展廣泛應(yīng)用。
2019-04-08 11:39:362845 高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國科學(xué)院電工研究所（簡稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術(shù)難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-10 14:10:191675 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
，換向電感只能在DBC設(shè)計的限制范圍內(nèi)得到改善。由此產(chǎn)生的換向電感約為 20nH，對于 6 組功率模塊，這允許在中低功率范圍內(nèi)使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開關(guān)過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅(qū)動集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
10μs，在設(shè)計硅IGBT的短路保護(hù)電路時，建議將短路保護(hù)的檢測延時和相應(yīng)時間設(shè)置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護(hù)在3
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡稱電機(jī)系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢，并將大力支持在新能源汽車領(lǐng)域開展廣泛應(yīng)用。
2019-04-08 13:51:172000 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:564561 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學(xué)院電工研究所（簡稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術(shù)難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-11 14:50:594189 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:301412 SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32148 Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章： 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:352431 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:442373 
碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430592 功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:4410 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:255 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473720 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:095189 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:455189 
隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:202172 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
SiCModule，即碳化硅功率模塊，是一種利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基功率模塊相比，SiC模塊具有更高的熱導(dǎo)率、更高的擊穿電場強(qiáng)度和更低的導(dǎo)通電阻，這使得它們能夠
2024-05-21 11:09:381077 
過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管
2024-05-30 11:23:032192 
碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性，正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進(jìn)的SiC模塊，特別適用于各種充電設(shè)備的設(shè)計中。本文將探討
2024-06-06 11:19:33966 
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有更高的禁帶寬度、更高的臨界擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和更高的飽和電子漂移速度等優(yōu)異特性，這使得它們在電力電子領(lǐng)域具有極大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用價值。
2024-08-07 16:22:301938 
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點、應(yīng)用領(lǐng)域及其發(fā)展前景。
2024-09-11 10:44:301739 
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用及其未來的發(fā)展前景。
2024-09-13 11:00:371836 
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊等
2024-11-25 16:28:542898 碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢！ 傾佳
2025-02-10 09:41:151010 
模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢！ 傾
2025-02-09 20:17:291126 
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947 
近日，博世汽車電子中國區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步，也進(jìn)一步提升了本土市場的響應(yīng)速度，增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競爭力。
2025-03-06 18:09:291115 SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37768 安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281107 模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代
2025-04-30 14:30:531035 
致以崇高的敬意！是你們的智慧與汗水，讓中國在第三代半導(dǎo)體變革浪潮中勇立潮頭；是你們的堅守與創(chuàng)新，為電力電子行業(yè)自主可控的宏圖鋪就基石。 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，
2025-05-06 10:42:25490 
茜 微信&手機(jī)：13266663313 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片
2025-05-03 10:45:12561 
MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子
2025-05-04 09:42:31741 
34mm碳化硅（SiC）功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅
2025-05-04 13:23:07839 
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC
2025-05-10 13:38:19860 
國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC
2025-05-18 14:52:081324 
隨著全球汽車行業(yè)向電動化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型，碳化硅（SiC）功率器件以其優(yōu)越的性能，正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）的各類應(yīng)用中，SiC
2025-05-29 17:32:311082 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC
2025-06-24 17:26:28493 SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911 亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471100 
傳統(tǒng)IGBT，成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升，更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動
2025-06-09 07:07:17729 
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體：電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊
2025-09-21 20:41:13419 
半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽
2025-11-24 04:57:29243 
傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-24 09:00:23494 基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-14 07:32:011375 
雙脈沖測試技術(shù)解析報告：國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗證與性能評估 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-12-15 07:48:22466 
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面
2025-12-24 06:54:12347 
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅
2026-01-04 07:36:23278 
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