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第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

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第三代半導(dǎo)體資訊

Digi-Key Tony Ng：庫(kù)存變化催生芯片新需求，在挑戰(zhàn)中尋找新機(jī)遇

又到歲末年初時(shí)，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到了數(shù)十位國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了Digi-Key...

2023-12-27 標(biāo)簽：庫(kù)存 DigiKey 第三代半導(dǎo)體 1850 0

CGD徐維利：生成式AI需求驟升，第三代半導(dǎo)體成關(guān)鍵

又到歲末年初時(shí)，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到了數(shù)十位國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FA...

2023-12-26 標(biāo)簽：GaN CGD 第三代半導(dǎo)體 3.1萬 0

碳化硅在電動(dòng)汽車中主要應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體技術(shù)以及碳化硅(SiC)材料，正迅速崛起并且在科技產(chǎn)業(yè)中引起廣泛關(guān)注，這兩個(gè)領(lǐng)域的結(jié)合，為我們帶來了前所未有的機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)，將深刻改變我們的生...

2023-11-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器 OBS 1436 0

揭秘寬禁帶器件檢測(cè)要點(diǎn)？

雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn)，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛，所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 363 0

SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...

2023-10-08 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1120 0

汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇成功舉辦| 聚焦ICS2023峰會(huì)

2023中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱:ICS2023峰會(huì)）于2023年9月21日至9月22日在深圳寶安區(qū)JW萬豪酒店舉行。ICS2023峰會(huì)以“洞...

2023-09-25 標(biāo)簽：汽車芯片第三代半導(dǎo)體 1105 0

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析

氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽：氮化鎵氮化鎵電源 GaN 2569 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

8月29日-31日，上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱PCIM Asia）在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì)，本屆...

2023-09-02 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓逆變器 1569 0

2023年以來19起半導(dǎo)體收購(gòu)案，廠商加快構(gòu)建AI、第三代半導(dǎo)體版圖

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）根據(jù)IT桔子的數(shù)據(jù)，2022年集成電路行業(yè)發(fā)生了33起收購(gòu)，其中國(guó)內(nèi)24起，海外9起。在經(jīng)歷2022艱難的一年后，人們并沒有...

2023-08-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI 第三代半導(dǎo)體 3362 0

基于InnoGaN ISG3201和INN040LA015A 設(shè)計(jì)的1KW DCDC電源模塊方案

繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn)，配合磁集成方案...

2023-08-05 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2367 0

薩科微slkor 國(guó)際化之初體驗(yàn)(上)

?大家好，我叫宋仕強(qiáng)，是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來發(fā)展迅速，產(chǎn)品研發(fā)方面大投入，高端產(chǎn)品IGBT、電...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管二極管穩(wěn)壓二極管 1050 0

薩科微以新技術(shù)引領(lǐng)公司發(fā)展

深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件生產(chǎn)加工工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)，以新技術(shù)引領(lǐng)公司發(fā)展。薩科微的研...

2023-07-03 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件碳化硅 390 0

薩科微技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司（Shenzhen?SlkorMicroMicro?Semicon?Co.,Ltd），技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握...

2023-07-01 標(biāo)簽：電子元器件功率器件碳化硅 478 0

ST 推出超小型5x6 包裝E-mode PowerGaN SGT65R65AL

SGT65R65AL 是一款第三代半導(dǎo)體650 V、25 A 增強(qiáng)型 PowerGaN ，結(jié)合了完善的封裝技術(shù)。由此產(chǎn)生的 G-HEMT 器件提供極...

2023-05-17 標(biāo)簽：ST GaN 第三代半導(dǎo)體 791 0

SiC/GaN前沿趨勢(shì)大論劍！這場(chǎng)會(huì)議干貨來了

隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)...

2023-06-16 標(biāo)簽：SiC GaN 第三代半導(dǎo)體 770 0

矽電-泰克晶圓級(jí)探針測(cè)試測(cè)量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立

泰克科技（中國(guó)）有限公司和矽電半導(dǎo)體設(shè)備（深圳）股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會(huì)在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開，同一時(shí)間，泰克（中國(guó)）和矽電半導(dǎo)體宣布測(cè)試測(cè)量聯(lián)合...

2023-06-16 標(biāo)簽：泰克實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體 2100 0

國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體看點(diǎn)盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》

為期四天的2023廣州國(guó)際照明展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國(guó)星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，...

2023-06-14 標(biāo)簽：led LED電源 GaN 761 0

后摩爾時(shí)代，洞見第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來！

2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正...

2023-05-30 標(biāo)簽：功率器件第三代半導(dǎo)體 1223 0

后摩爾時(shí)代，洞見第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來！

前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高...

2023-05-30 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 1170 1

瑞能半導(dǎo)體亮相SNEC 2023光伏展

? 瑞能半導(dǎo)體將亮相5月24-26日在上海新國(guó)際博覽中心盛大舉行的SNEC 2023光伏展（展位：N5-803），同全球從業(yè)者交流光伏產(chǎn)業(yè)未來市場(chǎng)趨勢(shì)分...

2023-05-23 標(biāo)簽：光伏 SBD SiC 1585 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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