關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器詳細(xì)解析

由于浪涌電壓不僅受變壓器的漏電感影響，還受PCB板薄膜布線(xiàn)的寄生分量影響，因此需要在組裝于實(shí)際PCB板中的狀態(tài)下確認(rèn)Vds，并根據(jù)實(shí)際的電壓調(diào)整緩沖電路。

2019-08-22 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電容緩沖電路 2847 0

RC緩沖抑制電路的工作原理介紹

RC緩沖抑制電路主要用于消除或減小電路中的高頻噪聲和波動(dòng)。RC緩沖抑制電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、易于實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。 ...

2024-01-16 標(biāo)簽：電容器RC緩沖緩沖電路 2763 0

包含寄生參數(shù)的振鈴回路等效分析

RC緩沖電路常用在電源震蕩節(jié)點(diǎn)處理，例如boost，buck電路中。

2023-03-26 標(biāo)簽：BUCKRCBoost 2631 0

RC緩沖電路降噪原理

RC緩沖電路是一種由電阻（R）和電容（C）組成的簡(jiǎn)單電路，用于在電子系統(tǒng)中控制信號(hào)的流動(dòng)。RC緩沖電路的主要功能是作為信號(hào)的低通濾波器，減少或消除高頻噪...

2024-02-05 標(biāo)簽：RC降噪緩沖電路 2052 0

如何使用RC緩沖電路去除開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲

降壓轉(zhuǎn)換器IC的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節(jié)簡(jiǎn)述如何使用RC緩沖電路去除開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。

2024-04-30 標(biāo)簽：DC-DC寄生電感緩沖電路 2042 0

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1986 0

開(kāi)關(guān)電源緩沖電路設(shè)計(jì)

緩沖電路主要放置在IC電路前面，實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)和提高其性能，緩沖電路的主要作用有以下六點(diǎn)。

2023-10-28 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)寄生電容 1790 0

開(kāi)關(guān)電源MOSFET關(guān)斷緩沖電路

Q關(guān)斷，集電極電壓開(kāi)始上升到2Vdc，電容C限制集電極電壓的上升速度，并減小上升電壓和下降電流的重疊，減低開(kāi)關(guān)管Q的損耗。

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)電源變換器 1740 0

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。

2012-03-14 標(biāo)簽：寬帶FET緩沖電路 1639 0

開(kāi)關(guān)電源的降噪對(duì)策-RC緩沖電路

作為開(kāi)關(guān)電源的降噪對(duì)策，此前探討了使用電容器和電感的方法特點(diǎn)和注意事項(xiàng)，還有其他一些降噪的對(duì)策方法。下面介紹其中經(jīng)常用到的RC緩沖電路。RC緩沖電路，為...

2023-02-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源RC緩沖電路 1506 0

茂睿芯柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用原理與技術(shù)特點(diǎn)

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制...

2023-04-18 標(biāo)簽：微控制器晶體管數(shù)字信號(hào) 1419 0

用于控制電壓瞬變的緩沖電路分析

緩沖電路用于控制可能錯(cuò)誤導(dǎo)通或損壞晶閘管的電壓瞬變。緩沖器的目的是通過(guò)為流過(guò)電路固有漏感的電流提供備用路徑來(lái)抑制晶閘管切換時(shí)發(fā)生的電壓瞬變和振鈴。

2023-07-17 標(biāo)簽：晶閘管欠壓保護(hù)緩沖電路 1327 0

SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)

與放電型RCD緩沖電路不同，非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量，因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍，使得能...

2024-03-13 標(biāo)簽：MOSFETemiSiC 1009 0