物聯(lián)網(wǎng)給MEMS帶來新商機 為何芯片商卻很謹(jǐn)慎？

物聯(lián)網(wǎng)的出現(xiàn)給MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器帶來了新的機會，但芯片廠商面對新機會卻非常謹(jǐn)慎。

2016-05-31 標(biāo)簽：芯片MEMS聯(lián)電 4.4k 0

晶圓雙雄及聯(lián)發(fā)科卡位物聯(lián)網(wǎng)芯片

物聯(lián)網(wǎng)著眼于芯片整合及訴求超低功耗，晶圓雙雄臺積電和聯(lián)電均建立相關(guān)制程平臺，協(xié)助芯片廠搶商機；聯(lián)發(fā)科也成立Linkit開發(fā)平臺，以整合戰(zhàn)方式卡位。

2016-05-30 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科臺積電聯(lián)電 863 0

中國“3+1”存儲器版圖初現(xiàn) 誰能走到最后？

對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫...

2016-05-25 標(biāo)簽：存儲器聯(lián)電武漢新芯 1k 0

中芯國際距超越聯(lián)電進入晶圓代工前三有多遠(yuǎn)？

作為國內(nèi)唯一可以和國際晶圓代工大廠抗衡的企業(yè)，業(yè)界對中芯國際的期待似乎更多。而在流行“大者恒大”定律的半導(dǎo)體行業(yè)里，排名“第四”的中芯國際有沒有機會實現(xiàn)...

2016-05-17 標(biāo)簽：中芯國際聯(lián)電晶圓代工 2.1k 0

臺積電/聯(lián)電與中芯國際搶奪中國晶圓代工市場

2016年大陸以晶圓代工為主軸的集成電路制造業(yè)的產(chǎn)值年增率將可望達(dá)到16.5%，雖然成長力道低于2015年26.5%的水準(zhǔn)，但依舊高于全球平均表現(xiàn)。

2016-05-03 標(biāo)簽：中芯國際臺積電聯(lián)電 1.1k 0

臺積電等龍頭細(xì)談國內(nèi)晶圓代工的未來走勢

摩爾定律遇到瓶頸、先進工藝投資如同“無底洞”，代工廠在先進工藝的巨大投入與回報之間如何取舍，在性能、成本、尺寸之間如何權(quán)衡，選擇哪一種道路持續(xù)精進，或許...

2013-11-04 標(biāo)簽：臺積電聯(lián)電新思科技 3k 0

臺灣300毫米半導(dǎo)體晶圓廠首次進入內(nèi)地

據(jù)臺灣媒體報道，聯(lián)電正與廈門市政府合作，投資3億美元，在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠，如果進展順利，這將是臺灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類工廠。

2013-07-18 標(biāo)簽：聯(lián)電晶圓廠 1.6k 0

聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝

。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開發(fā)。IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟是一個由IBM領(lǐng)導(dǎo)的半導(dǎo)體行業(yè)組織，成...

2013-06-15 標(biāo)簽：IBM聯(lián)電 1.3k 0

先進制程布局各有打算，GF/聯(lián)電爭搶晶圓榜眼

先進制程晶圓代工市場戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體（FinFET）制程后，格羅方德（GLOBALFO...

2013-06-11 標(biāo)簽：聯(lián)電晶圓格羅方德 1.3k 0

新思實體驗證方案獲聯(lián)電28奈米制程采用

新思科技（Synopsys）日前宣布，晶圓代工大廠聯(lián)華電子（UMC，聯(lián)電）才用新思科技 IC Validator 實體驗證（physical verif...

2013-03-15 標(biāo)簽：聯(lián)電28納米新思科技 981 0

智原與聯(lián)電合作完成交付40納米三億邏輯閘SoC

智原與聯(lián)電合作完成交付40納米三億邏輯閘SoC。由于其中整合了超過100種以上不同功能的 IP設(shè)計，其挑戰(zhàn)性更不是一般設(shè)計服務(wù)同業(yè)可以克服的。

2013-01-28 標(biāo)簽：ASIC聯(lián)電SoC 1.2k 0

大中華區(qū)前四大晶圓代工廠全球市占率超65%

2012年，包括臺積電、聯(lián)電、中芯、世界先進等大中華地區(qū)前四大晶圓代工廠，合計全球市占率超過65%。隨著28nm制程占出貨與營收比重提升，大中華地區(qū)前四...

2012-12-20 標(biāo)簽：臺積電聯(lián)電代工廠 1.7k 0

全球晶圓廠加緊FinFET布局 制勝14/16nm市場利器

全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)...

2012-12-20 標(biāo)簽：臺積電聯(lián)電晶圓廠 1.8k 0

搶先攻占IC制造商機 聯(lián)電發(fā)力14納米制程技術(shù)

聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計效能可較現(xiàn)今28奈米制程...

2012-11-05 標(biāo)簽：聯(lián)電IC制造14納米 1.1k 0

聯(lián)電與意法半導(dǎo)體攜手開發(fā)65奈米CMOS影像感測器技術(shù)

臺灣聯(lián)電集團（UMC）宣布與意法半導(dǎo)體（STM）攜手合作，開發(fā)利用背面照度的65奈米CMOS影像感測器技術(shù)。此次1.1um像素間距的BSI制程，將于聯(lián)電...

2012-09-07 標(biāo)簽：聯(lián)電意法半導(dǎo)體影像感測器 1.1k 0

晶圓代工 格羅方德擠下聯(lián)電

市調(diào)機構(gòu)IC Insights公布最新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估，臺積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德（GlobalFoundries）擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，...

2012-08-23 標(biāo)簽：聯(lián)電晶圓格羅方德 770 0

45/40nm成營收主力 晶圓廠爭相擴產(chǎn)

全球各大晶圓代工廠正加速擴大40/45奈米（nm）先進制程產(chǎn)能規(guī)模。智慧型手機與平板裝置市場不斷增長，讓兼具低成本與高效能的先進制程需求快速升溫，包括臺...

2012-08-22 標(biāo)簽：臺積電聯(lián)電晶圓 1.2k 0

半導(dǎo)體代工產(chǎn)業(yè)悄然變化 聯(lián)電表示壓力很大

全球半導(dǎo)體代工行業(yè)也進入了一個相對快速的發(fā)展階段。但繁榮或許并不屬于半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的每個企業(yè)。

2012-08-06 標(biāo)簽：臺積電聯(lián)電半導(dǎo)體代工 1k 0

CMOS影像感測技術(shù)興起 聯(lián)電攜手星國微電子開發(fā)TSV技術(shù)

　　聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院宣布，將合作進行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過這項技術(shù)，包括智慧手機、數(shù)位相機...

2012-06-07 標(biāo)簽：CMOS聯(lián)電TSV技術(shù) 1.3k 0