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標(biāo)簽 > 芯片制造
《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書(shū),作者是(美國(guó))贊特。本書(shū)介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。
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在芯片制造的復(fù)雜流程中,光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻O(píng)verlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層電路圖案對(duì)準(zhǔn)...
簡(jiǎn)單說(shuō)一說(shuō)什么是天線效應(yīng)?消除的辦法有哪些?
天線效應(yīng),或者說(shuō)它的全稱工藝天線效應(yīng)(PAE,process antenna effect),是一種芯片制造過(guò)程中產(chǎn)生的效應(yīng)。
2023-12-06 標(biāo)簽:MOS管芯片制造天線效應(yīng) 3.3k 0
縱觀整個(gè)制造業(yè),芯片的制造流程可以說(shuō)是最復(fù)雜的之一,這項(xiàng)點(diǎn)石成金術(shù)可分為八個(gè)大步驟,如下圖所示,這些步驟又可細(xì)分為上百道工序。
當(dāng)聽(tīng)到“半導(dǎo)體”這個(gè)詞時(shí),你會(huì)想到什么?它聽(tīng)起來(lái)復(fù)雜且遙遠(yuǎn),但其實(shí)已經(jīng)滲透到我們生活的各個(gè)方面:從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵,我們?nèi)粘I钏蕾?..
芯片或集成電路在20世紀(jì)50年代末開(kāi)始取代體積龐大的單個(gè)晶體管。許多這些微小的部件是在一塊硅上生產(chǎn)的,并連接在一起工作。產(chǎn)生的芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、放大無(wú)線電信...
芯片廠為什么要使用超純水? 普通的水中含有氯,硫等雜質(zhì),會(huì)腐蝕芯片中的金屬。如果水中有Na,K等金屬雜質(zhì),會(huì)造成MIC(可動(dòng)離子污染)等問(wèn)題。因此芯片制...
2023-06-29 標(biāo)簽:芯片制造半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制造 3k 0
半導(dǎo)體芯片制造中的檢測(cè)和量測(cè)技術(shù)
質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一,對(duì)于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造流程復(fù)雜,涉及眾多工藝步驟,每一道工序都需要達(dá)到近乎...
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?,k=3.9–4.2)的絕緣材料,主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)(ILD)。其核心目標(biāo)是通過(guò)降低金...
本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中,芯片制造無(wú)疑扮演著核心角色,它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石,也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)...
本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過(guò)程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕 利用等離子...
基于深度學(xué)習(xí)的芯片缺陷檢測(cè)梳理分析
雖然表面缺陷檢測(cè)技術(shù)已經(jīng)不斷從學(xué)術(shù)研究走向成熟的工業(yè)應(yīng)用,但是依然有一些需要解決的問(wèn)題?;谝陨戏治隹梢园l(fā)現(xiàn),由于芯片表面缺陷的獨(dú)特性質(zhì),通用目標(biāo)檢測(cè)算...
2024-02-25 標(biāo)簽:機(jī)器視覺(jué)芯片制造芯片缺陷 2.6k 0
請(qǐng)問(wèn)丙酮在芯片制造中有什么作用呢?丙酮怎樣防護(hù)?
丙酮在半導(dǎo)體制造中發(fā)揮關(guān)鍵作用,是不可或缺的清洗劑。它憑借出色的溶解能力和揮發(fā)性,助力芯片制造流程的順利進(jìn)行。
ASIC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)流程介紹 CMOS集成電路的功耗來(lái)源
集成電路是由硅晶圓(wafer)切割出來(lái)的芯片(die)組成的。每個(gè)晶圓可以切割出數(shù)百個(gè)芯片。
二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景,解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
在曝光過(guò)程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1,分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離,隨著曝光次數(shù)...
淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡(jiǎn)單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
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