實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成與小芯片優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵“互連”

在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長(zhǎng)的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術(shù)總監(jiān)Larry Zhao所詳細(xì)...

2024-04-07 標(biāo)簽：微控制器pcbsoc 1.2k 0

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過(guò)程

芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過(guò)程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過(guò)程。本文努力將這一工藝過(guò)程做一個(gè)匯總，對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過(guò)程有一個(gè)全面而概括的描述。

2024-03-29 標(biāo)簽：芯片制造蝕刻單晶硅 5.5k 0

芯片的常見(jiàn)功耗問(wèn)題盤(pán)點(diǎn)

Cadence產(chǎn)品管理總監(jiān)Melika Roshandell表示：“盡管基本漏電較之前的技術(shù)有所降低，但總體功耗卻更高。所以，熱量問(wèn)題將更加嚴(yán)重，因?yàn)槟?..

2024-03-25 標(biāo)簽：傳感器芯片cpu 2.2k 0

半導(dǎo)體晶圓直徑與厚度之間的關(guān)系

厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問(wèn)題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過(guò)程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會(huì)影響...

2024-03-25 標(biāo)簽：晶圓芯片制造半導(dǎo)體晶圓 3.4k 0

芯片制作流程分解說(shuō)明

芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標(biāo)簽：芯片NAND晶圓 2.3k 0

光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標(biāo)簽：芯片集成電路芯片制造 9.4k 0

芯片制造工藝：光學(xué)光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過(guò)約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級(jí)或更高。

2024-03-20 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片制造 5.4k 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過(guò)程。

2024-03-18 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻 3.6k 0

揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過(guò)程

由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場(chǎng)氧化層。

2024-03-13 標(biāo)簽：集成電路芯片制造MOS 6k 0

芯片制造工藝：晶體生長(zhǎng)基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱(chēng)為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過(guò)90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標(biāo)簽：集成電路多晶硅晶體 5.8k 0

芯片藏身于城市中隨處可見(jiàn)的電子設(shè)備，智能手機(jī)、電腦、家電等都離不開(kāi)它的控制。

2024-03-12 標(biāo)簽：晶圓晶體管芯片制造 1.3k 0

刻蝕機(jī)是干什么用的 刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類(lèi)似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將...

2024-03-11 標(biāo)簽：芯片制造光刻光刻機(jī) 1.6萬(wàn) 0

集成電路芯片制造工藝全流程

一般來(lái)說(shuō)SiO2是作為大部分器件結(jié)構(gòu)中的絕緣體 或 在器件制作過(guò)程中作為擴(kuò)散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻技術(shù) 6.6k 0

淺談不同階段光刻機(jī)工作方式

在曝光過(guò)程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)...

2024-03-08 標(biāo)簽：芯片制造光刻光刻機(jī) 2.6k 0

芯片制造時(shí)長(zhǎng)揭秘：從原料到成品的完整周期

整個(gè)芯片制造的流程可以分為三大步驟：芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試

2024-03-07 標(biāo)簽：芯片晶圓芯片設(shè)計(jì) 3.6k 0

基于深度學(xué)習(xí)的芯片缺陷檢測(cè)梳理分析

雖然表面缺陷檢測(cè)技術(shù)已經(jīng)不斷從學(xué)術(shù)研究走向成熟的工業(yè)應(yīng)用，但是依然有一些需要解決的問(wèn)題?；谝陨戏治隹梢园l(fā)現(xiàn)，由于芯片表面缺陷的獨(dú)特性質(zhì)，通用目標(biāo)檢測(cè)算...

2024-02-25 標(biāo)簽：機(jī)器視覺(jué)芯片制造芯片缺陷 2.6k 0

芯片制造流程及產(chǎn)生的相關(guān)缺陷和芯片缺陷檢測(cè)任務(wù)分析

在芯片生產(chǎn)制造過(guò)程中，各工藝流程環(huán)環(huán)相扣，技術(shù)復(fù)雜，材料、環(huán)境、工藝參數(shù)等因素的微變常導(dǎo)致芯片產(chǎn)生缺陷，影響產(chǎn)品良率。

2024-02-23 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機(jī)器視覺(jué)芯片制造 3.4k 0

淺談半導(dǎo)體設(shè)備高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)

對(duì)于芯片制造來(lái)講，光刻是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，可以說(shuō)，沒(méi)有光刻機(jī)，就沒(méi)有現(xiàn)代芯片產(chǎn)業(yè)。在集成電路制造過(guò)程中，光刻工藝的費(fèi)用約占制造成本的1/3 左右，耗費(fèi)...

2024-01-31 標(biāo)簽：芯片制造CMP光刻機(jī) 4.1k 0

從EDA到封裝的協(xié)同設(shè)計(jì)

先進(jìn)封裝中架構(gòu)的豐富性和失敗的高成本鼓勵(lì)器件設(shè)計(jì)流程和封裝廠之間更密切的合作。EDA 公司和 OSAT 正在開(kāi)發(fā)協(xié)作設(shè)計(jì)工具集，以提高封裝性能、降低成本...

2024-01-26 標(biāo)簽：asicIC設(shè)計(jì)soc 1.4k 0