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芯片制造

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《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（美國）贊特。本書介紹了半導體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導體材料和化學品的性質(zhì)等方面闡述。

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芯片制造技術(shù)

半導體工藝技術(shù)：器件的制造步驟

電信號處理工業(yè)始于上個世紀初的真空管，真空管使得收音機、電視機和其他電子產(chǎn)品成為可能。它也是世界上第一臺計算機的大腦。

2024-04-28 標簽：集成電路晶體管芯片制造 1k 0

芯片的性能由什么決定芯片最關(guān)鍵的技術(shù)是什么

芯片內(nèi)部集成了大量的晶體管和其他電子元件，這些元件可以協(xié)同工作，執(zhí)行各種復雜的數(shù)學運算和邏輯運算。這使得芯片能夠處理大量的數(shù)據(jù)，完成各種復雜的計算任務。

2024-04-25 標簽：CMOS 數(shù)據(jù)傳輸電子元件 6.4k 0

美光將獲61億美元補助金加速美國本土半導體工廠建設(shè)

盡管該筆補貼尚未最終敲定，但預計將在不久的將來正式公布。

2024-04-18 標簽：半導體芯片制造美光 1.2k 0

芯片制造的21個步驟

中央處理器（CPU）是一塊超大規(guī)模的集成電路，是一臺計算機的運算核心和控制核心。它的功能主要是解釋計算機指令以及處理計算機軟件中的數(shù)據(jù)，這也是迄今為數(shù)不...

2024-04-16 標簽：處理器 cpu 芯片制造 1.8k 0

半導體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標簽：芯片制造硅片晶圓制造 2.8k 0

淺談刻蝕的終點控制

當?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 1.8k 0

實現(xiàn)異構(gòu)集成與小芯片優(yōu)勢的關(guān)鍵“互連”

在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術(shù)總監(jiān)Larry Zhao所詳細...

2024-04-07 標簽：微控制器 pcb soc 1.4k 0

半導體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。

2024-03-29 標簽：芯片制造蝕刻單晶硅 6k 0

芯片的常見功耗問題盤點

Cadence產(chǎn)品管理總監(jiān)Melika Roshandell表示：“盡管基本漏電較之前的技術(shù)有所降低，但總體功耗卻更高。所以，熱量問題將更加嚴重，因為你...

2024-03-25 標簽：傳感器芯片 cpu 2.7k 0

半導體晶圓直徑與厚度之間的關(guān)系

厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響...

2024-03-25 標簽：晶圓芯片制造半導體晶圓 3.8k 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片 NAND 晶圓 3.1k 0

光刻機的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標簽：芯片集成電路芯片制造 1.1萬 0

黃仁勛回應中國市場問題

英偉達CEO黃仁勛近日在接受媒體采訪時，深入探討了公司在全球數(shù)據(jù)中心市場的戰(zhàn)略布局以及最新研發(fā)的AI芯片Blackwell的相關(guān)情況。

2024-03-20 標簽：數(shù)據(jù)中心芯片制造人工智能 1.5k 0

芯片制造工藝：光學光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 標簽：集成電路晶圓芯片制造 7k 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復制電路圖案的過程。

2024-03-18 標簽：集成電路芯片制造光刻 4k 0

揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。

2024-03-13 標簽：集成電路芯片制造 MOS 7k 0

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標簽：集成電路多晶硅晶體 7.1k 0

芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么??？

芯片藏身于城市中隨處可見的電子設(shè)備，智能手機、電腦、家電等都離不開它的控制。

2024-03-12 標簽：晶圓晶體管芯片制造 2k 0

刻蝕機是干什么用的刻蝕機和光刻機的區(qū)別

刻蝕機的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將...

2024-03-11 標簽：芯片制造光刻光刻機 1.8萬 0

集成電路芯片制造工藝全流程

一般來說SiO2是作為大部分器件結(jié)構(gòu)中的絕緣體或在器件制作過程中作為擴散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標簽：集成電路芯片制造光刻技術(shù) 7.7k 0

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