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標(biāo)簽 > 芯片封裝
安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼,起著安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用,而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。
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混合集成電路(HIC)芯片封裝對工藝精度和產(chǎn)品質(zhì)量要求極高,真空回流爐作為關(guān)鍵設(shè)備,其選型直接影響封裝效果。本文深入探討了在混合集成電路芯片封裝過程中選...
2025-06-16 標(biāo)簽:集成電路芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 463 0
打線鍵合就是將芯片上的電信號從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線(多為金線、鋁線或銅線)將芯片的焊盤(bond pad)和支架(如引線框...
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
半導(dǎo)體硅表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(S...
2025-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 411 0
在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域,焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品的性能與可靠性。隨著電子器件不斷向小型化、高性能化發(fā)展,傳統(tǒng)焊接技術(shù)逐漸暴露出諸多局限性。在此背景下,甲酸...
2025-05-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 448 0
當(dāng)今時代人們對產(chǎn)品性能要求越來越高,SoC設(shè)計也隨之變得越來越復(fù)雜,由此導(dǎo)致SoC內(nèi)模塊數(shù)量呈指數(shù)級增長。不同于傳統(tǒng)設(shè)計方法,芯片封裝設(shè)計中的l/O p...
在技術(shù)和連通性主宰一切的時代,電子和機械設(shè)計的融合將徹底改變用戶體驗。獨立開發(fā)器件的時代已經(jīng)過去;市場對創(chuàng)新、互聯(lián)產(chǎn)品的需求推動了業(yè)內(nèi)對協(xié)作方法的需求。
高密度系統(tǒng)級封裝:技術(shù)躍遷與可靠性破局之路
本文聚焦高密度系統(tǒng)級封裝技術(shù),闡述其定義、優(yōu)勢、應(yīng)用場景及技術(shù)發(fā)展,分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問題及失效機理,探討可靠性提升策略,...
芯片封裝中的四種鍵合方式:技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用
芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié),承擔(dān)著物理保護、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中,鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁,直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)...
2025-04-11 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備芯片鍵合 965 0
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),承擔(dān)著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能,這其中的鍵合技術(shù)(Bonding)就是將晶圓芯片固定于基板上。
封裝方案制定是集成電路(IC)封裝設(shè)計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),涉及從芯片設(shè)計需求出發(fā),制定出滿足功能、電氣性能、可靠性及成本要求的封裝方案。這個過程的核心是根據(jù)不...
封裝方案制定是集成電路(IC)封裝設(shè)計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),涉及從芯片設(shè)計需求出發(fā),制定出滿足功能、電氣性能、可靠性及成本要求的封裝方案。這個過程的核心是根據(jù)不...
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 2037 0
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