英諾賽科

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英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計(jì)、外延生長、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。

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英諾賽科資訊

英諾賽科發(fā)布100V VGaN，支持48V BMS應(yīng)用

摘要：英諾賽科推出 100V 雙向?qū)ㄆ骷?，可在電池管理系統(tǒng)、雙向變換器的高側(cè)負(fù)荷開關(guān)、電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效應(yīng)用。 ? 英諾賽科宣布推出 ...

2023-10-13 標(biāo)簽：電池管理 GaN 英諾賽科 1399 0

GaN芯片制造商英諾賽科計(jì)劃香港上市

近日，有消息透露，英諾賽科公司正籌備在今年內(nèi)赴香港進(jìn)行首次公開募股（IPO），預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到約3億美元。

2024-03-25 標(biāo)簽：芯片 GaN 英諾賽科 1196 0

英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1188 0

氮化鎵芯片制造商英諾賽科赴港IPO

英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股（IPO）的上市申請(qǐng)，標(biāo)志著這家全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)正式邁出了登...

2024-06-15 標(biāo)簽：芯片功率器件英諾賽科 1178 0

2024 APEC圓滿落幕，英諾賽在展會(huì)大放異彩

近日，備受矚目的國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)APEC在美國洛杉磯盛大舉行。作為電力電子領(lǐng)域的年度盛事，APEC吸引了全球眾多知名企業(yè)的參與，他們紛紛帶來了最新...

2024-03-12 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 APEC 英諾賽科 1146 0

全球領(lǐng)先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力，33W GaN快充迅速上量

外型小巧是該方案的一大特色，其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)更是十分精簡(jiǎn)，通過圖片可見，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實(shí)現(xiàn)了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)的...

2021-04-08 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 英諾賽科 1021 0

英諾賽科與ASML簽署合作協(xié)議

ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級(jí)，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。

2021-01-22 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵光刻機(jī) 1011 0

英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品駕駛艙快充首選

近年來，隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用，大功率充電器也日益小型化。大眾對(duì)電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮，使得出行時(shí)的充電需求變得十...

2024-12-05 標(biāo)簽：快充英諾賽科車載快充 893 0

英諾賽科在2024 APEC展示GaN新品與解決方案

近日，備受全球矚目的國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)APEC在美國洛杉磯盛大閉幕。作為全球電力電子領(lǐng)域的年度盛會(huì)，APEC吸引了眾多頂尖企業(yè)的目光，他們紛紛攜帶最...

2024-03-12 標(biāo)簽：APEC GaN 英諾賽科 874 0

英諾賽科推出30V VGaN新品，拓寬電壓范圍

英諾賽科近日宣布，其VGaN系列再添新成員——30V新品INV030FQ012A。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著VGaN產(chǎn)品的電壓范圍得到了進(jìn)一步拓寬。

2024-10-15 標(biāo)簽：負(fù)載電壓英諾賽科 839 0

英諾賽科香港上市，國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生

近日，國內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股正式誕生，...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心氮化鎵 789 0

英諾賽科登陸港交所，氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場(chǎng)

近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場(chǎng)增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。英諾賽科作為全...

2025-01-06 標(biāo)簽：電壓氮化鎵功率半導(dǎo)體 698 0

英諾賽科港股招股，引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)變革

近年來，新能源產(chǎn)業(yè)的崛起以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，為功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)注入了強(qiáng)勁的增長動(dòng)力。其中，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代...

2024-12-25 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)英諾賽科 585 0

英諾賽科營業(yè)收入實(shí)現(xiàn)跨越式增長，持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新

在半導(dǎo)體行業(yè)的快速變革中，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司以卓越的氮化鎵產(chǎn)品，已發(fā)展成為全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)。近期發(fā)布的招股書數(shù)據(jù)顯示，英...

2024-07-08 標(biāo)簽：汽車電子英諾賽科 557 0

英諾賽科起訴英飛凌及關(guān)聯(lián)公司專利侵權(quán)

近日，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司及其全資附屬公司英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司，通過港交所發(fā)布公告，宣布已正式向江蘇省蘇州市中級(jí)人民法院提起訴訟。...

2025-01-22 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體英諾賽科 544 0

效率突破98%！英諾賽科發(fā)布2kW四相降壓電源方案，助力數(shù)據(jù)中心與新能源升級(jí)

隨著服務(wù)器和人工智能應(yīng)用的發(fā)展，CPU/GPU的功率越來越高，為了降低傳輸損耗，傳統(tǒng)供電架構(gòu)已經(jīng)從12V升級(jí)到48V。受限于服務(wù)器內(nèi)的空間尺寸，需要高功...

2025-04-11 標(biāo)簽：電源 AI 48V 536 0

7月直播預(yù)告 | 英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技與您相約大大通直播間

大大通直播專區(qū)攜手英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技等原廠，推出5場(chǎng)精彩線上直播，為您帶來最新技術(shù)分享與行業(yè)洞察。

2025-07-03 標(biāo)簽：英飛凌恩智浦羅姆 408 0

EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利

2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯(lián)交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片...

2025-03-19 標(biāo)簽：專利 GaN 英諾賽科 360 0

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3D打?。?DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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