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氮化鎵芯片制造商英諾賽科赴港IPO

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-15 09:50 ? 次閱讀
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英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股(IPO)的上市申請(qǐng),標(biāo)志著這家全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場的重要步伐。

英諾賽科以其強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力和全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)能力而聞名,其主要產(chǎn)品覆蓋低高壓氮化鎵功率器件,廣泛應(yīng)用于電子、通信等領(lǐng)域。據(jù)市場研究數(shù)據(jù)顯示,英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中收入排名第一,市場份額高達(dá)33.7%,充分證明了其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。

然而,值得注意的是,盡管英諾賽科在市場份額和技術(shù)實(shí)力上表現(xiàn)出色,但近三年的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示,公司虧損額達(dá)到67億元。這一數(shù)字引發(fā)了市場的廣泛關(guān)注和猜測。對(duì)此,英諾賽科在招股書中進(jìn)行了詳細(xì)披露,表示虧損主要是由于公司持續(xù)加大在產(chǎn)能提升和研發(fā)方面的投入,以及償還貸款等因素所致。

對(duì)于此次IPO募資的用途,英諾賽科在招股書中明確表示,將主要用于產(chǎn)能的進(jìn)一步提升、研發(fā)投入以及償還貸款等方面。這一策略旨在確保公司在未來能夠持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先和市場優(yōu)勢,同時(shí)加強(qiáng)財(cái)務(wù)穩(wěn)健性,為公司的長期發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

英諾賽科的上市之路備受市場關(guān)注,其未來的發(fā)展動(dòng)態(tài)也將對(duì)全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

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