一文詳解淺溝槽隔離技術(shù)

隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點，原始的本征氧化隔離技術(shù)（LocOS）已不適應(yīng)?！案綦x”是指利用介質(zhì)材料或反向PN結(jié)隔離集成電路的有源區(qū)器件，消除寄...

2025-03-12 標簽：集成電路工藝隔離技術(shù) 1296 0

一文詳解銅大馬士革工藝

但隨著技術(shù)迭代，晶體管尺寸持續(xù)縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點，銅開始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁，同時采...

2025-02-07 標簽：工藝晶體管蝕刻 2845 0

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...

2025-01-22 標簽：等離子體蝕刻ICP 1095 0

典型的氧化局限面射型雷射結(jié)構(gòu)

為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士學(xué)位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...

2025-01-21 標簽：元件雷射蝕刻 472 0

深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標準。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細電路圖案的可靠方...

2025-01-25 標簽：電路板蝕刻PCB 728 0

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護LDD 結(jié)構(gòu)，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴展區(qū)。側(cè)墻是由兩個主要工藝步驟形...

2024-11-09 標簽：集成電路工藝蝕刻 1359 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導(dǎo)致表面粗糙。當硅表面在HF過程中暴露于OH離子時，硅表面可能會變得粗糙。

2024-11-05 標簽：硅晶圓蝕刻光刻膠 1186 0

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標簽：晶圓蝕刻 582 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標簽：光刻蝕刻晶圓制造 3045 0

基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測

傳統(tǒng)的2D視覺技術(shù)已經(jīng)無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術(shù)則以其獨特的優(yōu)勢，輕松地在視野范圍內(nèi)構(gòu)建目標物的狀態(tài)，無論是斷差還是孔徑...

2024-05-27 標簽：pcb蝕刻光譜 630 0

通信——通過表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品，因為最近的同質(zhì)外延生長已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進行高速硬X射線檢測，并在硅基本透明的...

2024-04-25 標簽：蝕刻edl 759 0

關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實地進行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進...

2024-04-18 標簽：蝕刻 1229 0

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復(fù)雜的過程有一個全面而概括的描述。

2024-03-29 標簽：芯片制造蝕刻單晶硅 4933 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片NAND晶圓 1887 0

細述幾種高效晶體硅太陽能電池技術(shù)

一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達到10％以下。目前較為先進的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點是和晶硅的晶...

2024-03-19 標簽：太陽能電池蝕刻晶體硅 2777 0

半導(dǎo)體硅材料的特性解析

硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定。而在高溫下，硅幾乎可以所有物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

2024-03-15 標簽：晶圓半導(dǎo)體材料蝕刻 4667 0

PCB全制程流程介紹

通過光學(xué)反射原理將圖像回饋至設(shè)備處理，與設(shè)定的邏輯判斷原則或資料圖形相比較，找出缺點位置

2024-03-15 標簽：pcb蝕刻基板 726 0

混合鍵合工藝流程：詳細解讀D2W和W2W的流程

現(xiàn)在對 2 個晶圓進行處理，為粘合做好準備。它們經(jīng)過 N2 等離子體處理以激活表面。等離子處理改變了表面的特性，以增加表面能并使其更加親水。

2024-03-06 標簽：晶圓蝕刻芯片封裝 7659 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起，更先進的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進式改進。

2024-02-27 標簽：晶圓芯片設(shè)計蝕刻 4468 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

在過去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標簽：等離子體光纖SiGe 608 0