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標(biāo)簽 > 鐵電存儲器
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲器,它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣,如只讀存儲器和閃存)結(jié)合起來。
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電梯控制系統(tǒng)數(shù)據(jù)記錄可使用國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-09-12 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)存儲器鐵電存儲器 1193 0
拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C可替代富士通MB85RS128B應(yīng)用在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上,主控自帶的數(shù)據(jù)存儲往往不夠用,這時候就需要外掛存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲,本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM...
國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-08-09 標(biāo)簽:存儲數(shù)據(jù)采集鐵電存儲器 1170 0
國芯思辰| 國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在工程機(jī)械監(jiān)控系統(tǒng)中的應(yīng)用
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-07-27 標(biāo)簽:監(jiān)控系統(tǒng)鐵電存儲器國芯思辰 1113 0
國產(chǎn)FRAM存儲器PB85RS2MC在工業(yè)機(jī)器人市場的應(yīng)用優(yōu)勢
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-08-22 標(biāo)簽:機(jī)器人工業(yè)機(jī)器人鐵電存儲器 1085 0
富士通FRAM存儲器內(nèi)置RFID LSI的產(chǎn)品
富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數(shù))特長, 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗證IC產(chǎn)品。富士通提供使用...
富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬億次的寫入耐久性
FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲...
FRAM鐵電白皮書|型號、結(jié)構(gòu)、優(yōu)勢、應(yīng)用等
FeRAM鐵電存儲器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器(內(nèi)存)。FeRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池...
國芯思辰|拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在車身控制器上的應(yīng)用,內(nèi)存達(dá)128K,支持SPI接口輸出
在諸多工業(yè)、汽車等對可靠性有高要求的應(yīng)用場景中,通常會使用FRAM存儲器來儲存系統(tǒng)中的重要信息,這得益于FRAM本身的特性,數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、...
國芯思辰|基于國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS128工程車輛數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-07-20 標(biāo)簽:采集系統(tǒng)鐵電存儲器國芯思辰 958 0
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