基于FRAM的微控制器的應(yīng)用場(chǎng)景有很多，如可穿戴電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠(yuǎn)程傳感器、能量收集裝置、智能計(jì)量?jī)x表、家庭自動(dòng)化設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應(yīng)用。

相比傳統(tǒng)的MCU，F(xiàn)RAM MCU有低功耗、讀寫操作以及讀寫次數(shù)等方面有著極大的優(yōu)勢(shì)。FRAM本身不僅可當(dāng)作Flash使用，也可當(dāng)作SDRAM使用，所以不管是代碼還是數(shù)據(jù)都可以同時(shí)間放在FRAM里傳送，而且傳送速度很快，可讓工程師更靈活地去做復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

本文主要介紹一種國(guó)產(chǎn)FRAMPB85RS2MC，該存儲(chǔ)器集成降低安全應(yīng)用成本與功耗所需的高性能以及各種特性，可幫助開發(fā)人員為低功耗應(yīng)用并提高安全性。此外，非易失性FRAM替代EEPROM或閃存為MCU提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)，從而可簡(jiǎn)化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

1、PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

2、PB85RS2MC具有讀寫速度快（最高100萬(wàn)次）、寫入壽命長(zhǎng)、寫入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。

3、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

5、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

值得一提的是，PB85RS2MC無(wú)論在待機(jī)或是運(yùn)行、高溫或是低溫的應(yīng)用場(chǎng)景下，均能保持穩(wěn)定的低功耗水平，且它的小尺寸封裝可以最大限度地縮減產(chǎn)品尺寸并實(shí)現(xiàn)了無(wú)電池的世界。如有需求，國(guó)芯思辰可全程提供技術(shù)服務(wù)和供貨需求。

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